| 講演名 | 2016-12-12 キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 大麻 浩平(東芝), 吉岡 啓(東芝), 齊藤 泰伸(東芝), 菊地 拓雄(東芝), 大黒 達也(東芝), 浜本 毅司(東芝), 杉山 亨(東芝), |
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| 抄録(和) | GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を測定する手法では、素子の自己発熱の影響を含んでしまう為、熱の影響が無視可能であるキャリア数の減少を直接的に捉える手法を用いた。フィールドプレート構造下におけるキャリア減少は、容量特性上では空乏化電圧の低下として観測することが出来るので、容量測定を用いてキャリアの減少量とその位置を知ることが可能となる。容量特性から求められる指標と動的オン抵抗の関係を調べ、提案手法がコラプス評価として機能することを確認した。また、本手法と従来の手法を組み合わせることでオン抵抗上昇の要因を分離することが出来る為、コラプス現象の理解と解決に役立つものであると考えている。 |
| 抄録(英) | We report a new method to evaluate current collapse. To exclude self-heating effect during dynamic test, we propose carrier number as a new indicator. Carrier number could be evaluated from capacitance measurement. Change in capacitance gives direct evidence of carrier decrease and the region it occurs. Proposed method was verified and confirmed to have a high accuracy by comparing with dynamic testing results. New method makes it possible to evaluate the change of carrier number and mobility independently, which can be used to model and solve the current collapse phenomenon. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / パワーデバイス / 電流コラプス / キャリア数 / 容量測定 / フィールドプレート |
| キーワード(英) | Gallium Nitride / Power Devices / Current Collapse / Carrier Number / Capacitance Measurement / Field Plate |
| 資料番号 | ED2016-62,CPM2016-95,LQE2016-78 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 野田 進(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluating Current Collapse of GaN HEMT devices by Carrier Number |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | パワーデバイス / Power Devices |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(4)（和/英） | キャリア数 / Carrier Number |
| キーワード(5)（和/英） | 容量測定 / Capacitance Measurement |
| キーワード(6)（和/英） | フィールドプレート / Field Plate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大麻 浩平 / Kohei Oasa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉岡 啓 / Akira Yoshioka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齊藤 泰伸 / Yasunobu Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊地 拓雄 / Takuo Kikuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浜本 毅司 / Takeshi Hamamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 杉山 亨 / Toru Sugiyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corp.(略称：TOSHIBA) |
| 発表年月日 | 2016-12-12 |
| 資料番号 | ED2016-62,CPM2016-95,LQE2016-78 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-356,CPM-357,LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.27-30(ED), pp.27-30(CPM), pp.27-30(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |