| 講演名 | 2016-12-12 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 塩島 謙次(福井大), 永縄 萌(福井大), 三島 友義(法政大), |
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| 抄録(和) | GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に（i）劈開のみ、（ii）H2O2による故意酸化、（iii）HCl洗浄の3種類の表面処理条件を用いてショットキー電極を形成し、電気的特性の評価を行った。劈開のみの試料のI-V特性は、電極間のばらつきが少なく、良好なn値を示した。しかし、H2O2処理した試料は、表面処理なしの試料に比べ、ショットキー障壁高さがはるかに小さい値を示した。 一方、HCl処理した試料は、電極間の特性のばらつきが著しく大きい結果となった。 c面Ga極性で良く用いられているHCl処理は劈開m面n-GaN表面に対しては有効ではなく、劈開のみの方が清浄であることを確認した。 |
| 抄録(英) | We fabricated and characterized Au/Ni Schottky contacts on cleaved m-plane free-standing n-GaN surfaces (i) without any surface treatment, (ii) with H2O2 treatment, or (iii) with HCl treatment. The as-cleaved samples showed I-V characteristics with small n-values and less diode-to-diode variation. However, the H2O2 samples had much smaller Schottky barrier height. Whereas the HCl samples exhibited significantly large diode-to-diode variation. It is confirmed that cleaving without any surface treatment can provide a cleaner surface to form Schottky diodes on m-plane n-GaN surfaces than that with conventional HCl treatment. |
| キーワード(和) | m面GaN / 劈開 / 表面処理 / ショットキー接触 |
| キーワード(英) | m-plane GaN / cleaving / surface treatment / Schottky contact |
| 資料番号 | ED2016-60,CPM2016-93,LQE2016-76 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 野田 進(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | ENG-JTITLE |
| タイトル（和） | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 |
| サブタイトル（和） | 表面処理の影響 |
| タイトル（英） | Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates |
| サブタイトル（和） | * |
| キーワード(1)（和/英） | m面GaN / m-plane GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 劈開 / cleaving |
| キーワード(3)（和/英） | 表面処理 / surface treatment |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永縄 萌 / Moe Naganawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-12 |
| 資料番号 | ED2016-60,CPM2016-93,LQE2016-76 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-356,CPM-357,LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.15-20(ED), pp.15-20(CPM), pp.15-20(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |