| 講演名 | 2016-12-19 [Invited Talk] Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well エルムタワキル アミン(NTT), 杉山 弘樹(NTT), 松崎 秀昭(NTT), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | InP-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) with InAs quantum-well have exhibited record high-speed performances, thanks to their high electron mobility and saturation velocity. Recently, the integration of a double δ-doping in HEMT structures is also used to boost the operation speed. However, there are no comprehensive and quantitative reports comparing similar structures with both single- and double-doping layers. In this review, we report on an InP-based HEMT with a novel 6-nm-thick InAs/In0.8Ga0.2As quantum well in the channel, and we will discuss the differences in the DC and RF performances for the fabricated HEMTs with a single-δ-doped (SD) layer and with a double-δ-doped (DD) layers. We will also analyze the delay-time for both structures. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | HEMTInAsInGaAsDCRFMillimeter-waveTHzterahertz-wave devices and systems |
| 資料番号 | ED2016-80 |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/12/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / HEMTInAsInGaAsDCRFMillimeter-waveTHzterahertz-wave devices and systems |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | エルムタワキル アミン / Amine El Moutaouakil |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2016-12-19 |
| 資料番号 | ED2016-80 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-375 |
| ページ範囲 | pp.1-5(ED), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) |