| 講演名 | 2016-12-19 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 遠藤 聡(NICT), 渡邊 一世(NICT), 笠松 章史(NICT), 高橋 剛(富士通研), 芝 祥一(富士通研), 中舍 安宏(富士通研), 岩井 大介(富士通研), 三村 高志(富士通研/NICT), |
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| 抄録(和) | InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 KにおけるDC，RF特性を，種々のドレイン側リセス長Lrdにおいて測定した．16 Kにおけるドレイン電流－電圧（I-V）特性は，全てのLrdの場合においてキンクを示した．遮断周波数fTの最高値は，300，16 Kの両方においてLrdの増大につれて減少する．一方，最大発振周波数fmaxは，300，16 Kの両方において非常に複雑な挙動を示す．各温度，各ドレイン電圧において，fmaxを増大させる最適なLrdが存在することが分かった．また，等価回路パラメータを抽出し，fTとfmaxの傾向について考察した．fTは相互コンダクタンスgmとゲート容量Cgで構成されるが，Lrdの増加に伴ってgmは減少しCgは増大する．fmaxは主にドレインコンダクタンスgdとゲート・ドレイン容量Cgdの傾向を反映し，Lrdが長い領域ではgd，Lrdが短い領域ではCgdの影響が比較的大きいようである． |
| 抄録(英) | We measured the DC and RF characteristics of InP-based 75-nm-gate In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTs with various drain-side recess lengths Lrd’s at 300 and 16 K. The kink phenomenon was seen in the current-voltage (I-V) characteristics for all the measured HEMTs at 16 K. The peak cutoff frequency fT decreases with increasing Lrd both at 300 and 16 K. On the other hand, the maximum oscillation frequency fmax shows very complicated behavior both at 300 and 16 K. We found that there exists the most suitable Lrd value to increase fmax at each temperature and/or drain-source voltage Vds. Furthermore, we extracted the equivalent circuit parameters and discussed the trend of fT and fmax values. fT can be expressed by transconductance gm and gate capacitance Cg. gm decreases with increasing Lrd and Cg increases with increasing Lrd. fmax is mainly reflects the trend of drain conductance gd and gate-drain capacitance Cgd. The effect of gd is relatively large in the the longer Lrd region and the effect of Cgd is relatively large in the shorter Lrd region. |
| キーワード(和) | InP HEMT / InAlAs/InGaAs / 低温特性 / ドレイン側リセス長 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / 等価回路パラメータ |
| キーワード(英) | InP HEMT / InAlAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Drain-side recess length / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / Equivalent circuit parameters |
| 資料番号 | ED2016-81 |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/12/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP HEMT / InP HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | InAlAs/InGaAs / InAlAs/InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 低温特性 / Cryogenic characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | ドレイン側リセス長 / Drain-side recess length |
| キーワード(5)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(6)（和/英） | 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency |
| キーワード(7)（和/英） | 等価回路パラメータ / Equivalent circuit parameters |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira Endoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩井 大介 / Taisuke Iwai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi Mimura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所/情報通信研究機構(略称：富士通研/NICT) Fujitsu Laboratories Ltd./National Institute of Information and Communications Technology(略称：Fujitsu Labs./NICT) |
| 発表年月日 | 2016-12-19 |
| 資料番号 | ED2016-81 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-375 |
| ページ範囲 | pp.7-12(ED), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-12 (ED) |