| 講演名 | 2016-12-13 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 土山 和晃(豊橋技科大), 宇都宮 脩(豊橋技科大), 中川 翔太(豊橋技科大), 山根 啓輔(豊橋技科大), 関口 寛人(豊橋技科大), 岡田 浩(豊橋技科大), 若原 昭浩(豊橋技科大), |
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| 抄録(和) | 本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術およびそれを用いたGaN-µLEDとSi-MOSFETのモノリシック集積技術の実証を行う。作製したSi/SiO2/GaN-LED構造の熱耐性を検証し、Siデバイス層の薄膜化とLED層の許容熱収支からモノリシック集積工程を設計した。最終的に、Si/SiO2/GaN-LED構造に対してGaN-µLEDおよびSi-nMOSFETからなるGaN-µLED用駆動回路の作製を行い、静特性および動特性の評価を行った。その結果、両者ともに致命的な劣化の無い典型的なデバイス特性が得られたことから、本技術による超大規模光電子融合チップの実現が期待される。 |
| 抄録(英) | A Si/SiO2/GaN-LED structure was fabricated by surface activated bonding method, and a GaN-µLED driver circuit consisting of a GaN-µLED and a Si-nMOSFET was integrated onto the Si/SiO2/GaN-LED wafer. From a thermal tolerance of Si/SiO2/GaN-LED structure, we found that the high thermal tolerance of a thin top-Si layer on the Si/SiO2/GaN-LED structure allows a monolithic integration process of GaN-based optical devices and Si-integrated circuits. Static characteristics of GaN-µLED and Si-nMOSFET showed typical device performance without critical degradation of either device. A GaN-µLED driver circuit performed over 10 MHz of modulation bandwidth estimated by pulse driving measurement. |
| キーワード(和) | 光電子集積回路 / ウェハ接合 / GaN系微小発光ダイオード / モノリシック集積 |
| キーワード(英) | optoelectronic integrated circuit / wafer bonding / GaN-µLED / monolithic integration |
| 資料番号 | ED2016-73,CPM2016-106,LQE2016-89 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 野田 進(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of wafer structure and monolithic integrated GaN-μLED driver circuit for large-scale optoelectonic chip |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / optoelectronic integrated circuit |
| キーワード(2)（和/英） | ウェハ接合 / wafer bonding |
| キーワード(3)（和/英） | GaN系微小発光ダイオード / GaN-µLED |
| キーワード(4)（和/英） | モノリシック集積 / monolithic integration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土山 和晃 / Kazuaki Tsuchiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宇都宮 脩 / Shu Utsuhomiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中川 翔太 / Shota Nakagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学(略称：豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称：Toyohashi Tech.) |
| 発表年月日 | 2016-12-13 |
| 資料番号 | ED2016-73,CPM2016-106,LQE2016-89 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-356,CPM-357,LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.79-83(ED), pp.79-83(CPM), pp.79-83(LQE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |