講演名 2016-12-19
[招待講演]InPデバイス、CMOSデバイスによるミリ波・テラヘルツ波回路技術
川野 陽一(富士通研),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2016-82
発行日 2016-12-12 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2016/12/19(から2日開催)
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線)
幹事氏名(英) Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC)
幹事補佐氏名(和) 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大)
幹事補佐氏名(英) Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]InPデバイス、CMOSデバイスによるミリ波・テラヘルツ波回路技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Millimeter wave and THz RF Circuitry design techniques based on InP and CMOS
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 川野 陽一 / Yoichi Kawano
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu laboratories(略称:Fujitsu lab.)
発表年月日 2016-12-19
資料番号 ED2016-82
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) ED-375
ページ範囲 pp.13-16(ED),
ページ数 4
発行日 2016-12-12 (ED)