| 講演名 | 2017-01-27 (La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態 岡田 将大(鳥取大), 石垣 雅(鳥取大), 吉松 良(デンカ), 本間 徹生(高輝度光科学研究センター), 大観 光徳(鳥取大), |
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| 抄録(和) | 我々は, Eu3+の電荷移動状態(CTS)によって青色励起・赤色発光を示す新規蛍光体の実現を目指している. CTS励起帯の波長域は母体材料のイオン性－共有結合性の度合いに強く依存することから, 青色励起実現のためには母体探索が重要な鍵となる. 本研究では, (La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるCTSについて系統的に調査を行った. その結果, Eu置換サイトの配位環境とCTSによる吸収波長域に強い相関性があることを見出した. また, 母体のバンドギャップとCTSエネルギーにも相関関係があることを示し, 各種母体中におけるCTSエネルギー値を予測できる手段を得た. これらの成果は母体探索の際に重要な指針となる. |
| 抄録(英) | Novel red emitting phosphors having a blue excitation and a red emission due to charge transfer state (CTS) of Eu3+ centers have been synthesized. The wavelength region of the CTS excitation band strongly depends on the iconicity / covalency degree of the host materials. In this study, we have systematically investigated the Eu3+ CTS energy in the (La, Gd)-O-F-S and Y-Si-O-N based phosphors. It has been found the strong correlation between the coordination environment around Eu3+ centers and the absorption wavelength range of the CTS. In addition, it has been also found that the band gap energy of the host materials correlates well with the CTS energy. |
| キーワード(和) | 電荷移動状態(CTS) / La-O-F-S:Eu3+ / Y-Si-O-N:Eu3+ |
| キーワード(英) | charge transfer state (CTS) / La-O-F-S:Eu3+ / Y-Si-O-N:Eu3+ |
| 資料番号 | EID2016-44 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / ITE-IDY / IEE-EDD / IEIJ-SSL / SID-JC |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 徳島大学 |
| 開催地（英） | Tokushima Univ. |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | Joint Meeting of Emissive/Non-emissive Displays |
| 委員長氏名（和） | 志賀 智一(電通大) / 別井 圭一(日立) |
| 委員長氏名（英） | Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Keiichi Betsui(Hitachi) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / 藤崎 好英(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Yoshihide Fujisaki(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 中村 篤志(静岡大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) |
| 幹事補佐氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / Technical Group on Electron Devices / * / Society for Information Display Japan Chapter |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Charge transfer state of Eu3+ centers activated in (La, Gd)-O-F-S and Y-Si-O-N |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電荷移動状態(CTS) / charge transfer state (CTS) |
| キーワード(2)（和/英） | La-O-F-S:Eu3+ / La-O-F-S:Eu3+ |
| キーワード(3)（和/英） | Y-Si-O-N:Eu3+ / Y-Si-O-N:Eu3+ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 将大 / Masahiro Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鳥取大学(略称：鳥取大) Tottori University(略称：Tottori Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石垣 雅 / Tadashi Ishigaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 鳥取大学(略称：鳥取大) Tottori University(略称：Tottori Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉松 良 / Ryo Yoshimatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | デンカ株式会社(略称：デンカ) Denka Company Limited(略称：Denka) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 本間 徹生 / Tetsuo Honma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター(略称：高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute(略称：JASRI) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大観 光徳 / Koutoku Ohmi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 鳥取大学(略称：鳥取大) Tottori University(略称：Tottori Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | EID2016-44 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | EID-430 |
| ページ範囲 | pp.121-124(EID), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) |