| 講演名 | 2017-01-27 Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 深澤 研介(静岡大), 長瀬 剛(静岡大), 増田 裕一郎(静岡大), 光野 徹也(静岡大), 小南 裕子(静岡大), 原 和彦(静岡大), |
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| 抄録(和) | Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を行った．低温緩衝層を基板温度590 Cおよび NH3流量1500 sccmの条件で行った後，GaN薄膜の成長を基板温度1050～1100 C, NH3流量500~1500 sccmの範囲で行った．X線回折，表面・断面形状およびフォトルミネッセンスによる評価から，得られたGaN膜の膜構造および発光特性が，薄膜成長時のNH3ガス流量と成長温度に依存することがわかった．特に，基板温度1100 C， NH3流量500 sccmの条件により，表面が平坦な膜状結晶のGaN薄膜が得られた． |
| 抄録(英) | Gallium nitride (GaN) thin films were grown on c-plane sapphire substrates by chemical vapor deposition using Ga vapor and NH3 gas. Low-temperature buffer layer was deposited at a substrate temperature (Tg) of 590 C and a NH3 gas flow rate (F(NH3)) of 1500 sccm, which was followed by the growth of GaN thin films at Tg of 1050~1100 C and F(NH3) of 500~1500 sccm. X-ray diffraction, surface and cross-sectional morphology, and photoluminescence have shown that the film structure and the luminescence property of the GaN thin films depend on Tg and F(NH3). We have found that the flat GaN thin film was grown at Tg of 1100 C and F(NH3) 500 sccm. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / 化学気相法 / 薄膜成長 |
| キーワード(英) | Gallium nitride / Chemical vapor deposition / thin film growth |
| 資料番号 | EID2016-45 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / ITE-IDY / IEE-EDD / IEIJ-SSL / SID-JC |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 徳島大学 |
| 開催地（英） | Tokushima Univ. |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 |
| テーマ（英） | Joint Meeting of Emissive/Non-emissive Displays |
| 委員長氏名（和） | 志賀 智一(電通大) / 別井 圭一(日立) |
| 委員長氏名（英） | Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Keiichi Betsui(Hitachi) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / 藤崎 好英(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Yoshihide Fujisaki(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 中村 篤志(静岡大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) |
| 幹事補佐氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / Technical Group on Electron Devices / * / Society for Information Display Japan Chapter |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN thin films by chemical vapor deposition using Ga vapor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 化学気相法 / Chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜成長 / thin film growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深澤 研介 / Kensuke Fukasawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長瀬 剛 / Tsuyoshi Nagase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 裕一郎 / Yuichirou Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 光野 徹也 / Tetsuya Kouno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小南 裕子 / Hiroko Kominami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 和彦 / Hara kazuhiko |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | EID2016-45 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | EID-430 |
| ページ範囲 | pp.125-128(EID), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-01-19 (EID) |