| 講演名 | 2016-12-13 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 美濃 卓哉(パナソニック), 平山 秀樹(理研), 高野 隆好(パナソニック), 後藤 浩嗣(パナソニック), 植田 充彦(パナソニック), 椿 健治(パナソニック), |
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| 抄録(和) | 現在市販されている波長270～280nm帯のAlGaN系深紫外LEDの外部量子効率(EQE)は1～4%と低いため，市場への普及の観点から，さらなる高効率化が求められている．そこで，我々は，紫外吸収する従来のp型GaNコンタクト層から紫外透明なp型AlGaNコンタクト層への置き換えと，紫外反射ロジウム電極の開発を行なうことで，EQE10%以上の深紫外LEDの作製に成功したので，その結果について報告する． |
| 抄録(英) | AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) light emitting diodes (LEDs) with emission wavelength of 270 - 280 nm have been attracting much attention as an alternative to conventional mercury lamp. In spite of previous studies, however, the external quantum efficiency (EQE) of the DUV-LEDs remains much lower than that of visible LEDs owing to low light extraction from LED chips. We demonstrated the highly effective DUV-LEDs with the external quantum efficiency (EQE) of over 10% at 20 mA cw current by improving the light extraction by using DUV transparent p-contact layer and DUV reflective metal contact. |
| キーワード(和) | 深紫外LED / 紫外透明p型層 / 紫外反射電極 |
| キーワード(英) | DUV-LED / p-AlGaN / reflective electrode |
| 資料番号 | ED2016-72,CPM2016-105,LQE2016-88 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 野田 進(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Highly Effective Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diode by using Transparent p-AlGaN Contact Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外LED / DUV-LED |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外透明p型層 / p-AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外反射電極 / reflective electrode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 美濃 卓哉 / Takuya Mino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corporation(略称：Panasonic) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人理化学研究所(略称：理研) RIKEN(略称：RIKEN) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高野 隆好 / Takayoshi Takano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corporation(略称：Panasonic) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 後藤 浩嗣 / Koji Goto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corporation(略称：Panasonic) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 植田 充彦 / Mitsuhiko Ueda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corporation(略称：Panasonic) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 椿 健治 / Kenji Tsubaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corporation(略称：Panasonic) |
| 発表年月日 | 2016-12-13 |
| 資料番号 | ED2016-72,CPM2016-105,LQE2016-88 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-356,CPM-357,LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.75-78(ED), pp.75-78(CPM), pp.75-78(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |