| 講演名 | 2016-12-16 RF整流器のシミュレーション再現性を考慮したGaN HEMT大信号デバイスモデルの提案 安井 吏(電通大), 石川 亮(電通大), 本城 和彦(電通大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年，GaN HEMTなどの能動素子を用いた高効率RF整流器が提案されているが，これらの回路のシミュレーション再現性を改善するため，我々はGaN HEMTの第3 象限領域（ドレイン電圧，ドレイン電流が共に負の領域）の再現性を高めたデバイスモデルを提案する．実際のGaN HEMTデバイスの特性測定を行い，このデバイスモデルに基づいてパラメータのフィッティングを行い，第3象限領域での特性再現性の改善が確認された． |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | GaN HEMT / RF整流器 / デバイスモデル / 第3象限領域 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | MW2016-166 |
| 発行日 | 2016-12-08 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 防衛大学校 |
| 開催地（英） | National Defense Academy |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Students Session / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF整流器のシミュレーション再現性を考慮したGaN HEMT大信号デバイスモデルの提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Large Signal GaN HEMT Device Model for Accurate RF Power Rectifier Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | RF整流器 |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスモデル |
| キーワード(4)（和/英） | 第3象限領域 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安井 吏 / Tsukasa Yasui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2016-12-16 |
| 資料番号 | MW2016-166 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | MW-363 |
| ページ範囲 | pp.195-198(MW), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-08 (MW) |