講演名 2016-12-16
MOSFETのキャラクタライズ結果を用いたバイアス回路の自動設計
鈴木 研人(群馬大), 高井 伸和(群馬大), 菅原 誉士紀(群馬大), 大河内 一登(群馬大), 吉澤 慧(群馬大), 石井 司(群馬大), 篠田 沙樹(群馬大), 福田 雅史(群馬大),
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抄録(和) アナログ回路は設計の自由度が大きく最適な回路を短時間で設計するのは困難である。アナログ回路において、バイアス回路はトランジスタの動作を左右する特に重要なトポロジーである。本論文では、MOSFETのキャラクタライズ結果を用いたバイアス回路の自動設計法を提案する。著者らが提案したキャラクタライズの結果をバイアス回路の理論式に適用することで、自動設計した回路全体の97%が温度や電源電圧の変動に対して安定して動作し、解析結果との誤差1%未満の高精度なバイアス回路を実現した。
抄録(英) It is difficult to design optimal analog circuit in a short time in terms of designing flexibility. In an analog circuit, the bias circuit is the particularly important topology which control the operation of the transistor. In this paper, we propose the automatic design of bias circuit based on the results of characterized MOSFET. By applying the result of characterization to the theoretical formula of the bias circuit, 97% of the entire circuit designed automatically operates stably against fluctuations in temperature and power supply voltage. Moreover we realized a highly accurate bias circuit with less than 1% error from the simulation result.
キーワード(和) MOSFET / キャラクタライズ / バイアス回路 / 数式ベース / 自動設計 / HSPICE
キーワード(英) MOSFET / Characterize / Bias Circuit / Equation Based / Automatic Design / HSPICE
資料番号 ICD2016-91,CPSY2016-97
発行日 2016-12-08 (ICD, CPSY)

研究会情報
研究会 ICD / CPSY
開催期間 2016/12/15(から2日開催)
開催地(和) 東京工業大学
開催地(英) Tokyo Institute of Technology
テーマ(和) 学生・若手研究会
テーマ(英)
委員長氏名(和) 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大)
委員長氏名(英) Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST)
副委員長氏名(和) 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大)
副委員長氏名(英) Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo)
幹事氏名(和) 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII)
幹事氏名(英) Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII)
幹事補佐氏名(和) 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大)
幹事補佐氏名(英) Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOSFETのキャラクタライズ結果を用いたバイアス回路の自動設計
サブタイトル(和)
タイトル(英) Automatic Design of Bias Circuit Based on the Results of Characterized MOSFET
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET
キーワード(2)(和/英) キャラクタライズ / Characterize
キーワード(3)(和/英) バイアス回路 / Bias Circuit
キーワード(4)(和/英) 数式ベース / Equation Based
キーワード(5)(和/英) 自動設計 / Automatic Design
キーワード(6)(和/英) HSPICE / HSPICE
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 研人 / Kento Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 高井 伸和 / Nobukazu Takai
第 2 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 菅原 誉士紀 / Yoshiki Sugawara
第 3 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 大河内 一登 / Kazuto Okochi
第 4 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 吉澤 慧 / Satoshi Yoshizawa
第 5 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 石井 司 / Tsukasa Ishii
第 6 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 篠田 沙樹 / Saki Shinoda
第 7 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 福田 雅史 / Masafumi Fukuda
第 8 著者 所属(和/英) 群馬大学(略称:群馬大)
Gunma University(略称:Gunma Univ.)
発表年月日 2016-12-16
資料番号 ICD2016-91,CPSY2016-97
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) ICD-364,CPSY-365
ページ範囲 pp.119-122(ICD), pp.119-122(CPSY),
ページ数 4
発行日 2016-12-08 (ICD, CPSY)