| 講演名 | 2016-12-16 タングステン及び炭素接点を用いたハイブリッド直流遮断器のアークレス化 早川 達也(東工大), 中山 恭太郎(東工大), 安岡 康一(東工大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。ここで半導体素子として低オン抵抗であるSiC-MOSFETを採用すれば，開極した際に接点間に形成される溶融ブリッジの電圧で電流転流を完了し，アークレス化が可能である。本稿では高いブリッジ電圧が得られるタングステンや炭素といった高沸点材料を接点材料として採用し，そのアーク発生過程や電流転流特性について検討し，直流50 V, 150 Aの条件で確実なアークレスな転流を実現したので報告する。 |
| 抄録(英) | A hybrid circuit breaker consists of power semiconductor devices and a varistor connected in parallel with an electrical contact. In this study, we use SiC-MOSFET and contacts made from tungsten and carbon, which have high melting and boiling temperatures, to commute the contact current to MOSFET by the molten metal bridge voltage formed between contacts without arc discharge Arc formation processes and current commutation characteristics of each contact at the condition of DC 50 V, 150 A were investigated. As a result, arcless commutation was successfully demonstrated when using each contact. |
| キーワード(和) | アーク放電 / 直流遮断器 / 溶融ブリッジ / 接点材料 / SiC-MOSFET |
| キーワード(英) | Arc discharge / DC circuit breaker / Molten metal bridge / Contact material / SiC-MOSFET |
| 資料番号 | EMD2016-66 |
| 発行日 | 2016-12-09 (EMD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
|---|---|
| 開催期間 | 2016/12/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 阿部 宜輝(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Yoshiteru Abe(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 萓野 良樹(電通大) / 林 優一(東北学院大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electromechanical Devices |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | タングステン及び炭素接点を用いたハイブリッド直流遮断器のアークレス化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Arcless Hybrid DC Circuit Breaker Using Tungsten and Carbon Contacts |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アーク放電 / Arc discharge |
| キーワード(2)（和/英） | 直流遮断器 / DC circuit breaker |
| キーワード(3)（和/英） | 溶融ブリッジ / Molten metal bridge |
| キーワード(4)（和/英） | 接点材料 / Contact material |
| キーワード(5)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 早川 達也 / Tatsuya Hayakawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 恭太郎 / Kyotaro Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安岡 康一 / Koichi Yasuoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Titech) |
| 発表年月日 | 2016-12-16 |
| 資料番号 | EMD2016-66 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | EMD-371 |
| ページ範囲 | pp.7-12(EMD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-09 (EMD) |