| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減 佐藤 優一(中大), 出口 慶明(中大), 小林 惇朗(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリは多値化や微細化により、1bit当たりのコストが低下している。しかし、一つのメモリセルに3bitを保存するTLC NAND型フラッシュメモリでは、しきい値電圧間の読み出しマージンが狭くなるため信頼性が悪化する。また、データの書き換えにより、トンネル酸化膜中に電子を捕獲するトラップが生成される。そのトラップを介して電子が浮遊ゲートから抜け落ちることでデータ保持エラーが発生する。さらに微細化により、一つの電子が抜け落ちたときのしきい値電圧の減少率は大きくなるため、信頼性が悪化する。本論文では、TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持エラーの低減手法について報告する。 |
| 抄録(英) | The cost of NAND flash memory is reduced by scaling and multi-level cell technologies. However, the reliability of triple-level cell (TLC : 3-bit/cell) NAND flash is degraded due to the narrower read margins. Moreover, due to the write/erase endurance stress, traps which may capture electrons are generated in the tunnel oxide. Data-retention error is caused by ejecting electrons from the floating-gate via traps. Reliability is degraded by scaling since the threshold voltage is more decreased when one electron ejects. This paper reports data-retention error reduction technique of TLC NAND flash memory. |
| キーワード(和) | NAND フラッシュメモリ / 信頼性 |
| キーワード(英) | NAND flash memory / Reliability |
| 資料番号 | ICD2016-76,CPSY2016-82 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるデータ保持エラーの低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Reduction of Data-Retention Error in TLC NAND Flash Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優一 / Yuichi Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-76,CPSY2016-82 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.75-75(ICD), pp.75-75(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |