| 講演名 | 2016-12-12 DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 中野 響(兵庫県立大), 松尾 直人(兵庫県立大), 部屋 彰(兵庫県立大), 高田 忠雄(兵庫県立大), 山名 一成(兵庫県立大), 佐藤 旦(広島大), 横山 新(広島大), |
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| 抄録(和) | DNA/Si-MOSFET,及び,寄生容量制御可能なインバータ回路を作成しその入出力特性を調べた。シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り，DNAはギャップの間に付けた.VDD=0VとVDD=3Vの場合で出力特性に殆ど変化がなかった.理由は，DNA/Si-MOSFETが電荷捕獲放出により空間電荷可変領域を形成する事，可変寄生容量を形成する事と考えられる. |
| 抄録(英) | An input/output characteristics of the inverter composed of the DNA/Si-MOSFET and the parasitic capacity was studied. The DNA was bridged between the Si electrodes those serve as the source and drain with the 120nm-gap-length. At VDD = 0 V and VDD = 3V, the output characteristic was almost the same. The remain of this phenomenon is that the space charge layer of the DNA/Si-MOSFET charge due to the charge capture and emission and the parasitic capacitance charge synchronized with the gate voltage. |
| キーワード(和) | DNA/Si-MOSFET / インバータ |
| キーワード(英) | DNA/Si-MOSFET / inverter |
| 資料番号 | EID2016-23,SDM2016-104 |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / EID |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 志賀 智一(電通大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electronic Information Displays |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of the inverter circuit of DNA/Si-MOSFET due to the parasitic capacitance control |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DNA/Si-MOSFET / DNA/Si-MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | インバータ / inverter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中野 響 / Hibiki Nakano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Matsuo Naoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 部屋 彰 / Akira Heya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高田 忠雄 / Tadao Takada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山名 一成 / Kazusige Yamana |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学(略称：兵庫県立大) University of Hyogo(略称：Univ. of Hyogo) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐藤 旦 / Tadashi Sato |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Univ. Hiroshima) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横山 新 / Shin Yokoyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Univ. Hiroshima) |
| 発表年月日 | 2016-12-12 |
| 資料番号 | EID2016-23,SDM2016-104 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | EID-354,SDM-355 |
| ページ範囲 | pp.63-66(EID), pp.63-66(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) |