| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法 中村 俊貴(中大), 出口 慶明(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリは1つのメモリセルに対して複数のビットを記録することで大容量化を実現している。中でも1つのメモリセルに3ビット記録するものをTLC NAND型フラッシュメモリという。TLC NAND型フラッシュメモリは大容量、低コストである一方、しきい値電圧間の読み出しマージン縮小に伴いデータ保持エラーによる信頼性の悪化が問題となる。データ保持エラーとはトンネル酸化膜の劣化により、浮遊ゲートに存在していた電子が時間経過とともに抜け落ち保存していた情報を失うエラーである。そこで、本論文ではTLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持エラーを調査し、その特性を利用した高信頼化手法を検討した。 |
| 抄録(英) | The capacity of NAND flash memory can be expanded by multi-level cell technology. In particular, 3-bit/cell triple-level cell (TLC) NAND flash memory realizes extremely high capacity and low cost. However, its narrower read margins of threshold voltage distribution increase data-retention error which degrades the reliability. Data-retention error is caused by ejecting electrons from the floating-gate with data-retention time due to the deterioration of the tunnel oxide. This paper analyzes data-retention error and reports highly reliable method with data-retention characteristics of TLC NAND flash memory. |
| キーワード(和) | NANDフラッシュメモリ / 信頼性 |
| キーワード(英) | NAND flash memory / Reliability |
| 資料番号 | ICD2016-73,CPSY2016-79 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] A Highly Reliable Method with Data-Retenrion Characteristics in TLC NAND Flash Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 俊貴 / Toshiki Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-73,CPSY2016-79 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.65-65(ICD), pp.65-65(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |