| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラー傾向の解析 溝口 恭史(中大), 高橋 知紀(中大), 有留 誠一(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | 近年、芸術や文化、歴史などの10年から100年、またはそれ以上のデータ保持が求められるデジタルデータが急増している。これを実現するメモリの一つとしてNAND型フラッシュメモリが期待されている。NAND型フラッシュメモリにおいてデータ保持寿命と書き換え回数はトレードオフの関係にあり、データを長期間保持するためには書き換え回数は少なく制限される。また、メモリに生じるエラーの傾向は保持温度や書き換えストレスの有無によって変化する。本論文では、1つのセルに3ビットの情報を記憶することができるTLC NAND型フラッシュメモリについて書き換え回数を少数回とした場合の保存条件の変化に対するエラー傾向を調査した。 |
| 抄録(英) | Recently, a digital data on art, culture and history which required data-retention (DR) time from 10 to 100 years or more has been rapidly increased. NAND flash memory is expected as one of long-term data storage devices. In NAND flash memory, the reliability trade-off exists between DR time and write/erase (W/E) cycles. Therefore, to achieve long-term DR, W/E cycles are restricted. In addition, the error tendency depends on the retention temperature and W/E cycles. This paper investigated the error tendency on different retention condition in Triple-level cell (TLC, 3bit /cell) NAND flash memory which is applied low W/E cycles. |
| キーワード(和) | NAND型フラッシュメモリ / アーカイブ |
| キーワード(英) | NAND flash memory / archive |
| 資料番号 | ICD2016-72,CPSY2016-78 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラー傾向の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Error Analysis of NAND Flash Memories for Long-Term Storage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | アーカイブ / archive |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 溝口 恭史 / Kyoji Mizoguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 知紀 / Tomonori Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 有留 誠一 / Seiichi Aritome |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-72,CPSY2016-78 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.63-63(ICD), pp.63-63(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |