| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー傾向の解析 福山 将平(中大), 前田 一輝(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | 抵抗変化型メモリ(ReRAM)は低消費電力かつ高速で動作可能であるため、ストレージ・クラス・メモリ(SCM)の1つとして注目されている。ReRAMはメモリセル内部に電圧を加えてフィラメントの生成と消滅で抵抗値を変化させることにより情報を記憶する不揮発性メモリである。フィラメントを生成した低抵抗状態を”1”、フィラメントを消滅させた高抵抗状態を”0”として書き込みを行う。ReRAMは”1”、”0”の連続的な書き換えを多数行うとフィラメントの生成と消滅の切り替えが困難になりエラーが生じる。本論文では、ReRAMの書き換え耐久性における信頼性の向上を目的としたエラー傾向の解析を行った。 |
| 抄録(英) | Resistive random access memory (ReRAM) attracts attention as one of the storage class memory (SCM) because of its high speed and low power consumption. ReRAM is non-volatile memory, and the resistance value is changed by forming and dissolving the filament. Data ”1” is low resistance state, data ”0” is high resistance state. Forming and dissolving the filament becomes difficult by a lot of writing of “1” or “0” in ReRAM and an error occurs. In this paper, the error tendency is analyzed for the purpose of improving the endurance of ReRAM. |
| キーワード(和) | ReRAM / 信頼性 |
| キーワード(英) | ReRAM / reliability |
| 資料番号 | ICD2016-70,CPSY2016-76 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー傾向の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Error Tendency Analysis of Endurance in ReRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福山 将平 / Shouhei Fukuyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 一輝 / Kazuki Maeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-70,CPSY2016-76 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.59-59(ICD), pp.59-59(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |