| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析 榊 佑季哉(中大), 山賀 祐典(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリのメモリセルは年々微細化され、チップ容量の大容量化が成されている一方で、ビットエラーが増大し、信頼性が低下するといったトレードオフが存在する。NAND型フラッシュメモリは浮遊ゲートに電子を蓄えることによって情報を記録する。しかし、微細化によって容量結合によるセル間干渉雑音の増大や、浮遊ゲート内に蓄えられる電子の数の減少によりしきい値電圧の変化が顕著になる。その結果、書き込みディスターブエラーや読み出しディスターブエラー、データ保持エラーの増加を引き起こす。本論文では書き換え回数やデータ保持時間を変化させた場合における複数の世代のNAND型フラッシュメモリのエラーパターンを解析した。 |
| 抄録(英) | The capacity of NAND flash memory can be expanded by memory cell scaling. However, bit-errors are increased by memory cell scaling and reliability of NAND flash memory is decreased. NAND flash memory can store the data by injection electrons into the floating-gate. However, due to increases of inter-cell coupling noise and decreases of injection electrons, changes of VTH become remarkable by memory cell scaling. As a result, read-disturb error, program-disturb error, and data-retention error are occurred. This paper analyzes error pattern of some generations of NAND flash memory with various Write/Erase cycle and data-retention time. |
| キーワード(和) | NAND型フラッシュメモリ / ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / 基礎特性 |
| キーワード(英) | NAND flash memory / solid-state-drive / basic properties |
| 資料番号 | ICD2016-69,CPSY2016-75 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Error Pattern Analysis among Scaled Generations of NAND Flash Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / solid-state-drive |
| キーワード(3)（和/英） | 基礎特性 / basic properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 榊 佑季哉 / Yukiya Sakaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山賀 祐典 / Yusuke Yamaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-69,CPSY2016-75 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.57-57(ICD), pp.57-57(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |