| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化 鈴木 健太(中大), 田中 誠大(中大), 鶴見 洸太(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | 次世代不揮発性メモリとして低消費電力，高速動作可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。ReRAMは印加する電圧に応じて内部のフィラメントを生成または消滅させることにより、低抵抗状態と高抵抗状態に書き換えることができる。ReRAMセルの書き換え電圧はコントローラ回路の電源電圧より大きいため、ReRAMの書き換えには昇圧回路が必要である。昇圧回路の性能はReRAMの書き換え時間に影響し、高速化のためには昇圧時間の短縮と供給可能な負荷電流の増加が求められる。本論文ではReRAM書き換え電圧昇圧回路の高速化を検討し設計および評価を行った。 |
| 抄録(英) | Resistive random access memory (ReRAM) is considered as one of the next generation non-volatile memories due to its high-speed program and low power consumption. By applying the program voltage, size of conductive filament is changed and ReRAM cell resistance is switched between high resistance state and low resistance state. Because the ReRAM program voltage is larger than the supply voltage of controller circuit, ReRAM program voltage generator is required. The ReRAM program voltage generator should have fast rising time and high current drivability for high-speed program operation. This paper investigates high-speed operation of ReRAM program voltage generator. |
| キーワード(和) | ReRAM / 昇圧回路 / 高速化 |
| キーワード(英) | ReRAM / Program voltage generator / High-speed operation |
| 資料番号 | ICD2016-67,CPSY2016-73 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] High-Speed Operation of Program Voltage Generator for Low-voltage ReRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 昇圧回路 / Program voltage generator |
| キーワード(3)（和/英） | 高速化 / High-speed operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 健太 / Kenta Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-67,CPSY2016-73 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.53-53(ICD), pp.53-53(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |