| 講演名 | 2016-12-15 ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析 渡邉 光(中大), 小林 惇朗(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | 近年、クラウド技術やSNSの普及により、データが局所的に読み出されるアプリケーションが増加している。ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）の構成部品であるNAND型フラッシュメモリは、多値化や微細化技術により1ビットあたりのコストが低下している。一方、データが頻繁に読み出されることによるエラーの増加が問題となっている。これは、データを読み出す際に非読み出しメモリセルに電圧が印加され浮遊ゲートに誤って電子が注入されることにより、メモリセルのしきい値電圧が上昇してしまうことが原因とされている。これを読み出しディスターブエラーという。本論文では、信頼性を改善するために読み出しディスターブエラーの解析を行った。 |
| 抄録(英) | Recently, as cloud computing technology and Social Networking Service spread, the applications whose data is read locally have been increased. The cost of NAND flash memory, which composes solid-state drives, is reduced by multi-level cell and scaling technology. In contrast, errors are increased by frequent read operations. This error is occurred due to unintended threshold voltage increase because the electrons are injected to the floating-gate by applying voltage to the non-read target cells when the data is read. This error is called read-disturb error. In this paper, we analyzed the read-disturb error to improve the reliability of NAND flash memory. |
| キーワード(和) | NAND型フラッシュメモリ / ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / 信頼性 |
| キーワード(英) | NAND flash memory / Soild-state drives(SSDs) / reliability |
| 資料番号 | ICD2016-66,CPSY2016-72 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(Hokkaido Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Analysis of Read Disturb Error in NAND Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) / Soild-state drives(SSDs) |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邉 光 / Hikaru Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | ICD2016-66,CPSY2016-72 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-364,CPSY-365 |
| ページ範囲 | pp.51-51(ICD), pp.51-51(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2016-12-08 (ICD, CPSY) |