| 講演名 | 2017-01-27 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 桑田 英悟(三菱電機), 杉本 篤夫(三菱電機), 小山 英寿(三菱電機), 加茂 宣卓(三菱電機), 幸丸 竜太(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機), |
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| 抄録(和) | 高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダンス変成比の低減を実現する直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を提案する．更に提案した直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku 帯10 W 級GaN 高出力高効率広帯域MMIC 増幅器の試作結果を報告し，提案回路が有効であることを示す． |
| 抄録(英) | This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier (HPA), which features high efficiency and high power over C-Ku band with 115 % relative bandwidth. The amplifier uses a series-shunt inductor matching network to reduce chip size and the impedance transformation ratio in the interstage matching. The fabricated MMIC chip dimensions are 4.15 mm by 4 mm. Measured small signal gain exceeds 15.4 dB and the output power reaches 40.2 ~ 41.6 dBm with PAE of 17.3 ~ 30.5% over the C-Ku band at 25 V power supply voltage. With a CW output power ripple of 1.4 dB, this work shows significant improvement compared to previous work. |
| キーワード(和) | 増幅器 / 高出力増幅器 / MMIC / 3 倍帯域 / GaN HEMT / 広帯域 |
| キーワード(英) | Amplifiers / High Power Amplifier / MMIC / Band width / GaN HEMT / Broadband |
| 資料番号 | ED2016-110,MW2016-186 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW / ED |
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| 開催期間 | 2017/1/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下2階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-Ku band over 10 W Broadband Power Amplifier using Broadband Series-Shunt Inductor Matching Network |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 増幅器 / Amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | 高出力増幅器 / High Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | 3 倍帯域 / Band width |
| キーワード(5)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | 広帯域 / Broadband |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉本 篤夫 / Atsuo Sugimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 幸丸 竜太 / Ryota Komaru |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 発表年月日 | 2017-01-27 |
| 資料番号 | ED2016-110,MW2016-186 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-431,MW-432 |
| ページ範囲 | pp.75-79(ED), pp.75-79(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-01-19 (ED, MW) |