| 講演名 | 2016-12-15 単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波同時増幅動作時の大信号特性の検討及び線形性改善 丸山 有彗(電通大), 高山 洋一郎(電通大), 石川 亮(電通大), 本城 和彦(電通大), |
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| 抄録(和) | マイクロ波帯におけるマルチアクセスを可能にする電力増幅器はこれまで詳しい検討がなされておらず，同時増幅動作時の出力電力特性や効率特性の振る舞いは明らかになっていない．そこで単一GaN,HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波数同時増幅入出力特性を検討するため，FETの$V_{g}I_{d}$特性を用いた同時増幅動作時の解析を行い混変調ひずみによる入出力電力特性の基本的な劣化を確認した．また低入力レベルでの特性劣化に対して2次相互変調成分を短絡させるスタブを入力側整合回路に付け加えた構成を提案した．試作評価を行い線形特性の劣化改善に効果があることを確認した． |
| 抄録(英) | Power amplifiers that enable multi-access in the microwave band have not been studied in detail so far, and the behavior of the output power and efficiency characteristics simultaneous amplification has not been clarified. To investigate output characteristics of the dual band power amplifier in concurrent operation mode using a single GaN,HEMT , the concurrent amplification operation using the $V_{g}I_{d}$ characteristics of the FET were analyzed and the output power compression by cross modulation was expected. The fabricated GaN,HEMT amplifier showed abnormal output versus input nonliner power response at low input power level. A stub for short-circuiting second order intermodulation component was added to the input matching circuit and the abnormal response was improved successfully. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / デュアルバンド電力増幅器 / 2波同時増幅動作 |
| キーワード(英) | Microwave / Dual-band power amplifier / Concurrent operation mode |
| 資料番号 | MW2016-139 |
| 発行日 | 2016-12-08 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2016/12/15(から2日開催) |
| 開催地（和） | 防衛大学校 |
| 開催地（英） | National Defense Academy |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Students Session / Microwave Technologies |
| 委員長氏名（和） | 石川 容平(京大) |
| 委員長氏名（英） | Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2周波同時増幅動作時の大信号特性の検討及び線形性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Large Signal Characteristics and Linearity Improvement for Single-GaN HEMT Dual-Band Power Amplifier in Concurrent Operation Mode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルバンド電力増幅器 / Dual-band power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 2波同時増幅動作 / Concurrent operation mode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸山 有彗 / Arisu Maruyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2016-12-15 |
| 資料番号 | MW2016-139 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | MW-363 |
| ページ範囲 | pp.41-46(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-12-08 (MW) |