講演名 2016-12-08
シリコン導波路デバイス特性に及ぼす製造ばらつきの影響
堀川 剛(光電子融合基盤技研/産総研), 志村 大輔(光電子融合基盤技研), 牛田 淳(光電子融合基盤技研), 蘇武 洋平(光電子融合基盤技研), 椎名 明美(光電子融合基盤技研), 徳島 正敏(光電子融合基盤技研), 鄭 錫煥(光電子融合基盤技研), 木下 啓藏(光電子融合基盤技研), 最上 徹(光電子融合基盤技研),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) シリコンフォトニクス技術を用いた光集積回路は,長/短距離の情報伝送の広帯域化を可能にするキーデバイスとして注目されている.シリコンフォトニクス技術による光集積回路の製造における課題として,シリコン媒体の加工ばらつきの抑制による集積光学デバイスの波長特性のばらつき低減が挙げられる.今回,高いSOI厚均一性を有する300mmSOI基板上に高解像度のArF液浸露光技術を用いて試作した細線導波路,マイクロリング共振器,及び回折格子結合器等のシリコンフォトニクスのパッシブデバイスについて,デバイス特性及びその再現性をウェーハレベル光プロービングシステムにより評価し,導波路製造プロセスにおける製造ばらつきの影響を調べた結果をまとめる.
抄録(英) Silicon photonics has been expected as a key technology which is enable to integrate functionalities in a single chip for optical transceivers. In order to assure the reproducibility of optical circuit performance, it is a critical to reduce the variation of effective refractive index in various waveguide devices due to fabrication processes. In this study, by using an automatic wafer-level optical probing system, the experimental results of performance variations in passive devices of wire-waveguides, microring resonators, and grating couplers, which were fabricated by using highly-uniform 300-mm SOI wafers and high-resolution ArF immersion lithography. On the basis of the results, we discuss the effects of fabrication variation on device reproducibility.
キーワード(和) シリコンフォトニクス / 光集積回路 / ArF液浸露光 / 細線導波路 / マイクロリング共振器 / 回折格子結合器 / ウェーハレベル光プロービングシステム / 製造ばらつき
キーワード(英) silicon photonics / optical integrated circuits / ArF immersion lithography / wire-waveguides / microring resonators / grating couplers / wafer-level optical probing system / fabrication variation
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2016/12/8(から2日開催)
開催地(和) 石垣市商工会館(沖縄)
開催地(英)
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、シリコンフォトニクス、その他一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 小川 憲介(フジクラ)
委員長氏名(英) Kensuke Ogawa(Fujikura)
副委員長氏名(和) 加藤 和利(九大)
副委員長氏名(英) Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.)
幹事氏名(和) 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機)
幹事氏名(英) Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric)
幹事補佐氏名(和) 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大)
幹事補佐氏名(英) Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on OptoElectronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) シリコン導波路デバイス特性に及ぼす製造ばらつきの影響
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effects of Fabrication Variation on the Performance of Silicon Waveguide Devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / silicon photonics
キーワード(2)(和/英) 光集積回路 / optical integrated circuits
キーワード(3)(和/英) ArF液浸露光 / ArF immersion lithography
キーワード(4)(和/英) 細線導波路 / wire-waveguides
キーワード(5)(和/英) マイクロリング共振器 / microring resonators
キーワード(6)(和/英) 回折格子結合器 / grating couplers
キーワード(7)(和/英) ウェーハレベル光プロービングシステム / wafer-level optical probing system
キーワード(8)(和/英) 製造ばらつき / fabrication variation
第 1 著者 氏名(和/英) 堀川 剛 / Tsuyoshi Horikawa
第 1 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所/国立研究開発法人 産業技術総合研究所(略称:光電子融合基盤技研/産総研)
Photonics Electronics Technology Research Association/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:PETRA/AIST)
第 2 著者 氏名(和/英) 志村 大輔 / Daisuke Shimura
第 2 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 3 著者 氏名(和/英) 牛田 淳 / Jun Ushida
第 3 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 4 著者 氏名(和/英) 蘇武 洋平 / Yohei Sobu
第 4 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 5 著者 氏名(和/英) 椎名 明美 / Akemi Shiina
第 5 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 6 著者 氏名(和/英) 徳島 正敏 / Masatoshi Tokushima
第 6 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 7 著者 氏名(和/英) 鄭 錫煥 / Seok-Hwan Jeong
第 7 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 8 著者 氏名(和/英) 木下 啓藏 / Keizo Kinoshita
第 8 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 9 著者 氏名(和/英) 最上 徹 / Tohru Mogami
第 9 著者 所属(和/英) 技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
発表年月日 2016-12-08
資料番号
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) OPE-349
ページ範囲 pp.-(),
ページ数
発行日