| 講演名 | 2016-12-13 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 松浦 圭吾(金沢工大), 坂井 繁太(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), |
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| 抄録(和) | 我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造を提案している。しかし、その構造では、導波路モードの電界ベクトルの方向と光学利得を最大限に利用できる電界ベクトルの方向が一致しないことが指摘されている。そこで、本研究では、このミスマッチを導波路構造の工夫により低減することができないか検討した。その結果、導波路を従来のAlGaN/GaN構造から、AlGaN/InGaN構造に変更することにより、電界ベクトルのミスマッチが低減し、光学利得が大きく向上することがわかった。 |
| 抄録(英) | In order to realize low-cost high-performance green semiconductor laser diodes (LDs), we proposed semipolar InGaN quantum-well (QW) LDs with cleaved facet cavity mirrors. It has been pointed out, however, that optical gain in the QW layers cannot be fully utilized due to the mismatch of the polarization properties between the waveguide modes and optical gain characteristics in the active region. In this work, we have found that this mismatch can be largely reduced by tuning the waveguide structure. |
| キーワード(和) | 半極性面上InGaN量子井戸レーザ / 光学利得 / 導波路モード |
| キーワード(英) | semipolar InGaN quantum well / optical gain / waveguide mode |
| 資料番号 | ED2016-67,CPM2016-100,LQE2016-83 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / LQE / ED |
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| 開催期間 | 2016/12/12(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 野田 進(京大) / 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 山本 剛之(富士通研) / 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / / 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / / Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Enhancement of Optical Gain by Controlling Waveguide Modes in Semipolar InGaN Quantum Well Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半極性面上InGaN量子井戸レーザ / semipolar InGaN quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 光学利得 / optical gain |
| キーワード(3)（和/英） | 導波路モード / waveguide mode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松浦 圭吾 / Keigo Matsuura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2016-12-13 |
| 資料番号 | ED2016-67,CPM2016-100,LQE2016-83 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-356,CPM-357,LQE-358 |
| ページ範囲 | pp.51-54(ED), pp.51-54(CPM), pp.51-54(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |