| 講演名 | 2016-11-30 IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法 鶴見 洸太(中大), 田中 誠大(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | IoT向けのメモリやデータストレージとして，高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型化のため，センサ，ReRAMなどのメモリ，およびコントローラ回路を1パッケージ化することが必要とされている。また，IoT向けデバイスはエナジーハーベスト電源での動作を想定しコントローラ回路の低電圧化，高効率化が必要である。本論文では1.0 V動作可能なReRAM書き込み電圧生成回路の提案とコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法について述べる。提案回路では従来回路と比較してReRAMの書き込み時間を71 %削減した。また提案手法により，コンパレータ回路のバイアス電流を8 mAで固定とした場合と比較して効率が6.6 %増加した。 |
| 抄録(英) | Resistive random access memory (ReRAM) is considered as candidates for IoT Edge device because of the high-speed and low power operation compared with the conventional NAND flash memory. The IoT edge device requires to merge sensor, memory and controller into one package for miniaturization. This paper has two proposals. First, the proposed boost converter is proposed to achieve 1.0 V operation and high speed ReRAM set/reset time, simultaneously. Finally, 0.6 V operation ReRAM program voltage generator with the 2 µA to 8 µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM write voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. The proposed boost converter reduces the ReRAM set/reset time by 71 % compared with the conventional boost converter. Besides the boost converter with proposed scheme improves 6.6 % energy efficiency compared with the boost converter with fixed 8 µA large ICMP. |
| キーワード(和) | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / ブーストコンバータ / Internet of Things(IoT) / IoT向け端末 |
| キーワード(英) | Resistive RAM(ReRAM) / boost converter / Internet of Things(IoT) / IoT edge device |
| 資料番号 | CPM2016-89,ICD2016-50,IE2016-84 |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE |
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| 開催期間 | 2016/11/28(から3日開催) |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 竹中 崇(NEC) / 井上 美智子(奈良先端大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 藤島 実(広島大) / 高村 誠之(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Takashi Takenana(NEC) / Michiko Inoue(NAIST) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Seishi Takamura(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 越智 裕之(立命館大) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 市ヶ谷 敦郎(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Atsuro Ichigaya(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 永山 忍(広島市大) / 吉村 正義(京都産大) / 金子 晴彦(東工大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山口 佳樹(筑波大) / 谷川 一哉(広島市大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 坂東 幸浩(NTT) / 宮田 高道(千葉工大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Masayoshi Yoshimura(Kyoto Sangyo Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Yukihiro Bandoh(NTT) / Takamichi Miyata(Chiba Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | Parizy Matthieu(富士通研) / / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 河村 圭(KDDI研) / 高橋 桂太(名大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Parizy Matthieu(Fujitsu Labs.) / / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Kei Kawamura(KDDI R&D Labs.) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ReRAM Write Voltage Generator with Low Supply Voltage Operation and Optimized Comparator Bias-Current Scheme for IoT Edge Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive RAM(ReRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | ブーストコンバータ / boost converter |
| キーワード(3)（和/英） | Internet of Things(IoT) / Internet of Things(IoT) |
| キーワード(4)（和/英） | IoT向け端末 / IoT edge device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鶴見 洸太 / Kota Tsurumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-11-30 |
| 資料番号 | CPM2016-89,ICD2016-50,IE2016-84 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | CPM-333,ICD-334,IE-335 |
| ページ範囲 | pp.69-74(CPM), pp.69-74(ICD), pp.69-74(IE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |