講演名 2016-11-28
薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価
小暮 俊輔(芝浦工大), 宇佐美 公良(芝浦工大),
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抄録(和) レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシフタのデメリットとして、面積増加と入力信号の反転信号が必要である点が挙げられる。レベルシフタを使用せずに異なる電源電圧領域で信号のやり取りが可能であれば、デメリットを解消することができる。本研究では基板バイアスと薄膜BOX-SOIを用いてレベルシフタを挿入しない手法(レベルシフタレス(Level-shifter-less)手法)を提案し、その実現可能性をシミュレーションと実チップ評価により明らかにした。
抄録(英) Level shifter is a circuit that changes the voltage amplitude of the signal. It is essential to exchange signals with different power supply voltage area. Level-shifter has the overhead, such as increase in the number of input signals and the circuit area. If the signal connection is possible between the different power supply voltage without inserting a level-shifter, it is possible to eliminate the overhead. In this paper, we propose a method which does not use level-shifters (level-shifter-less method) by applying body bias and Silicon-on-Thin-BOX. Feasibility studies and evaluation for level-shifter-less design is demonstrated by simulation and real chip.
キーワード(和) レベルシフタレス / 基板バイアス / 薄膜BOX-SOI (SOTB)
キーワード(英) Level-shifter-less / Body Bias / Silicon-on-Thin-Box(SOTB)
資料番号 VLD2016-47,DC2016-41
発行日 2016-11-21 (VLD, DC)

研究会情報
研究会 VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE
開催期間 2016/11/28(から3日開催)
開催地(和) 立命館大学大阪いばらきキャンパス
開催地(英) Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus
テーマ(和) デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地-
テーマ(英) Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design-
委員長氏名(和) 竹中 崇(NEC) / 井上 美智子(奈良先端大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 藤島 実(広島大) / 高村 誠之(NTT)
委員長氏名(英) Takashi Takenana(NEC) / Michiko Inoue(NAIST) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Seishi Takamura(NTT)
副委員長氏名(和) 越智 裕之(立命館大) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 市ヶ谷 敦郎(NHK)
副委員長氏名(英) Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Atsuro Ichigaya(NHK)
幹事氏名(和) 福田 大輔(富士通研) / 永山 忍(広島市大) / 吉村 正義(京都産大) / 金子 晴彦(東工大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山口 佳樹(筑波大) / 谷川 一哉(広島市大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 坂東 幸浩(NTT) / 宮田 高道(千葉工大)
幹事氏名(英) Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Masayoshi Yoshimura(Kyoto Sangyo Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Yukihiro Bandoh(NTT) / Takamichi Miyata(Chiba Inst. of Tech.)
幹事補佐氏名(和) Parizy Matthieu(富士通研) / / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 河村 圭(KDDI研) / 高橋 桂太(名大)
幹事補佐氏名(英) Parizy Matthieu(Fujitsu Labs.) / / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Kei Kawamura(KDDI R&D Labs.) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering
本文の言語 JPN
タイトル(和) 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Feasibility studies and evaluation for Level-Shifter less design in Silicon-on-Thin-BOX (SOTB)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) レベルシフタレス / Level-shifter-less
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス / Body Bias
キーワード(3)(和/英) 薄膜BOX-SOI (SOTB) / Silicon-on-Thin-Box(SOTB)
第 1 著者 氏名(和/英) 小暮 俊輔 / Shunsuke Kogure
第 1 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学(略称:芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology(略称:Shibaura Institute of Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami
第 2 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学(略称:芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology(略称:Shibaura Institute of Tech)
発表年月日 2016-11-28
資料番号 VLD2016-47,DC2016-41
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) VLD-330,DC-331
ページ範囲 pp.19-24(VLD), pp.19-24(DC),
ページ数 6
発行日 2016-11-21 (VLD, DC)