| 講演名 | 2016-11-29 ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測 小笠原 泰弘(産総研), 小池 帆平(産総研), |
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| 抄録(和) | 本論文では超低電圧下におけるレイアウト依存性効果に起因する閾値変動効果の影響を実測より示す。65nm SOTB CMOS プロセスにおいて測定を行った結果，STI ストレス効果によるドーパント再分布による閾値変動が無視できない効果を持ち，超低電圧下において2.5 倍のオン電流の変化が引き起こされることが示された。また, 逆狭チャネル効果により超低電圧下でオン電流が6 倍変化することも測定された. 本論文ではSOTB プロセスのバックゲートによる柔軟な閾値制御性を利用したリングオシレータによる閾値変動の測定方法を併せて提案する. |
| 抄録(英) | This paper demonstrates notable impact of Vth shift due to STI-induced dopant redistribution on ultra-low voltage designs. 2.5X Ion change at ultra-low voltages due to STI was measured on a 65nm SOTB CMOS process. Serious 6X Ion change due to inverse narrow channel effects was also observed. We propose ring oscillator based measurement procedure observing Vth shift by exploiting flexible Vth controllability by backgate biasing of SOTB process. |
| キーワード(和) | FD-SOI / SOTB / プロセスばらつき / STI ストレス効果 / 逆狭チャネル効果 / 超低電圧回路 |
| キーワード(英) | FD-SOI / SOTB / process variability / STI stress effect / inverese narrow channel effect / ultra-low voltage circuits |
| 資料番号 | CPM2016-76,ICD2016-37,IE2016-71 |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE |
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| 開催期間 | 2016/11/28(から3日開催) |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 竹中 崇(NEC) / 井上 美智子(奈良先端大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 藤島 実(広島大) / 高村 誠之(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Takashi Takenana(NEC) / Michiko Inoue(NAIST) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Seishi Takamura(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 越智 裕之(立命館大) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 市ヶ谷 敦郎(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Atsuro Ichigaya(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 永山 忍(広島市大) / 吉村 正義(京都産大) / 金子 晴彦(東工大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山口 佳樹(筑波大) / 谷川 一哉(広島市大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 坂東 幸浩(NTT) / 宮田 高道(千葉工大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Masayoshi Yoshimura(Kyoto Sangyo Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Yukihiro Bandoh(NTT) / Takamichi Miyata(Chiba Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | Parizy Matthieu(富士通研) / / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 河村 圭(KDDI研) / 高橋 桂太(名大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Parizy Matthieu(Fujitsu Labs.) / / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Kei Kawamura(KDDI R&D Labs.) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Vth Variation due to STI Stress and Inverse Narrow Channel Effect at Ultra-Low Voltage in a Variability-Suppressed Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(2)（和/英） | SOTB / SOTB |
| キーワード(3)（和/英） | プロセスばらつき / process variability |
| キーワード(4)（和/英） | STI ストレス効果 / STI stress effect |
| キーワード(5)（和/英） | 逆狭チャネル効果 / inverese narrow channel effect |
| キーワード(6)（和/英） | 超低電圧回路 / ultra-low voltage circuits |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小笠原 泰弘 / Yasuhiro Ogasahara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小池 帆平 / Hanpei Koike |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2016-11-29 |
| 資料番号 | CPM2016-76,ICD2016-37,IE2016-71 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | CPM-333,ICD-334,IE-335 |
| ページ範囲 | pp.1-6(CPM), pp.1-6(ICD), pp.1-6(IE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |