| 講演名 | 2016-11-28 TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討 山田 晃大(京都工繊大), 丸岡 晴喜(京都工繊大), 梅原 成宏(京都工繊大), 古田 潤(京都工繊大), 小林 和淑(京都工繊大), |
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| 抄録(和) | 集積回路はムーアの法則に従って微細化してきたが，それに伴いソフトエラーに よる信頼性の低下が問題となっている．既にソフトエラーの対策として，三重化を用いた冗長化回路は有効であるが，面積や遅延時間，消費電力が増加する．冗長化によらない対策が必要とされているため，FDSOIプロセスにおける非冗長化ラッチのソフトエラー耐性を評価する．TCADシミュレーションを用いて，PMOSトランジスタや容量を追加したラッチのソフトエラー耐性を評価した．PMOSパストランジスタを追加したラッチは，LETが60mev である粒子を照射した場合でも保持値が反転せず，宇宙でも利用可能なソフトエラー耐性であることが判明した． |
| 抄録(英) | According to the Moore's law, LSIs are miniaturized and the reliability of LSIs is degraded. To improve the tolerance ofFFs against soft errors, several redundant FFs are effective countermeasures. However, redundant FFs have large area, delay and power overheads. Non-redundant FF structures with higher soft-error resilience are needed. In this paper, we evaluate non-redundant FF structures in an FDSOI process to prevent soft errors. We evaluate soft error rates of latches with additional components such as capacitors or PMOS pass-transistors by TCAD simulations. Even by a particle hit with LET of 60 mev, the stored value of the latch with PMOS pass-transistors is not upset. Thus, the latch has enough tolerance to use even if in outer space. |
| キーワード(和) | ソフトエラー / TCADシミュレーション / FDSOI / 耐放射線ラッチ / パストランジスタ |
| キーワード(英) | Soft error / TCAD simulations / FDSOI / Radiation-hardened latch / Pass-transistor |
| 資料番号 | VLD2016-49,DC2016-43 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE |
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| 開催期間 | 2016/11/28(から3日開催) |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 竹中 崇(NEC) / 井上 美智子(奈良先端大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 藤島 実(広島大) / 高村 誠之(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Takashi Takenana(NEC) / Michiko Inoue(NAIST) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Seishi Takamura(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 越智 裕之(立命館大) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 市ヶ谷 敦郎(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Atsuro Ichigaya(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 永山 忍(広島市大) / 吉村 正義(京都産大) / 金子 晴彦(東工大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山口 佳樹(筑波大) / 谷川 一哉(広島市大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 坂東 幸浩(NTT) / 宮田 高道(千葉工大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Masayoshi Yoshimura(Kyoto Sangyo Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Yukihiro Bandoh(NTT) / Takamichi Miyata(Chiba Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | Parizy Matthieu(富士通研) / / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 河村 圭(KDDI研) / 高橋 桂太(名大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Parizy Matthieu(Fujitsu Labs.) / / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Kei Kawamura(KDDI R&D Labs.) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADシミュレーションを用いたFDSOIプロセスの耐ソフトエラー回路構造の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Radiation-Hard Circuit Structures in a FDSOI Process by TCAD Simulations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソフトエラー / Soft error |
| キーワード(2)（和/英） | TCADシミュレーション / TCAD simulations |
| キーワード(3)（和/英） | FDSOI / FDSOI |
| キーワード(4)（和/英） | 耐放射線ラッチ / Radiation-hardened latch |
| キーワード(5)（和/英） | パストランジスタ / Pass-transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 晃大 / Kodai Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 丸岡 晴喜 / Haruki Maruoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梅原 成宏 / Shigehiro Umehara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古田 潤 / Jun Furuta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2016-11-28 |
| 資料番号 | VLD2016-49,DC2016-43 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | VLD-330,DC-331 |
| ページ範囲 | pp.31-36(VLD), pp.31-36(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |