| 講演名 | 2016-11-28 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法 籔内 美智太郎(京都工繊大), 大島 梓(京都工繊大), 駒脇 拓弥(京都工繊大), 小林 和淑(京都工繊大), 岸田 亮(京都工繊大), 古田 潤(京都工繊大), Pieter Weckx(KUL/IMEC), Ben Kaczer(IMEC), 松本 高士(東大), 小野寺 秀俊(京大), |
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| 抄録(和) | 複合欠陥を考慮したランダムテレグラフノイズ (RTN: Random Telegraph Noise) モデルを用いた回路解析手法を提案する．従来の単一欠陥モデルでは40 nm SiONプロセスのRTNを再現することができない．複合欠陥モデルを用いることでゲート酸化膜におけるHK層とIL層が異なる欠陥特性分布を持つことを考慮した回路解析が可能となる．提案手法では，リングオシレータにおけるRTN発振周波数変動の測定結果から欠陥特性値を推定し，モンテカルロ解析によってRTN発振周波数変動の分布を再現する．試作チップによる測定結果と提案手法によって得られた解析結果を比較したところ，複合欠陥モデルは回路レベルにおけるRTNを正確に再現できることが確認された． |
| 抄録(英) | We propose a circuit analysis method using the bimodal RTN (random telegraph noise) model of the defect-centric distribution. The conventional unimodal model fails to replicate the effect of RTN on 40 nm SiON process circuits. The bimodal model takes into account defect characteristics of both HK and interface layer in gate dielectric. The proposed method estimates defect characteristics and reproduces frequency distributions by RTN. We confirm the bimodal model fully replicates the effect of RTN by comparing simulation and measurement results of 40 nm test chips. |
| キーワード(和) | RTN (Random Telegraph Noise) / defect-centric distribution / ばらつき / 信頼性 / 回路設計 |
| キーワード(英) | RTN (Random Telegraph Noise) / defect-centric distribution / variation / reliability / circuit design |
| 資料番号 | VLD2016-52,DC2016-46 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE |
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| 開催期間 | 2016/11/28(から3日開催) |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 竹中 崇(NEC) / 井上 美智子(奈良先端大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 藤島 実(広島大) / 高村 誠之(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Takashi Takenana(NEC) / Michiko Inoue(NAIST) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Seishi Takamura(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 越智 裕之(立命館大) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 市ヶ谷 敦郎(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Atsuro Ichigaya(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 永山 忍(広島市大) / 吉村 正義(京都産大) / 金子 晴彦(東工大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山口 佳樹(筑波大) / 谷川 一哉(広島市大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 坂東 幸浩(NTT) / 宮田 高道(千葉工大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Masayoshi Yoshimura(Kyoto Sangyo Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Yukihiro Bandoh(NTT) / Takamichi Miyata(Chiba Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | Parizy Matthieu(富士通研) / / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 河村 圭(KDDI研) / 高橋 桂太(名大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Parizy Matthieu(Fujitsu Labs.) / / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Kei Kawamura(KDDI R&D Labs.) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Circuit Simulation Method Using Bimodal Defect-Centric Model of Random Telegraph Noise on 40 nm SiON Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTN (Random Telegraph Noise) / RTN (Random Telegraph Noise) |
| キーワード(2)（和/英） | defect-centric distribution / defect-centric distribution |
| キーワード(3)（和/英） | ばらつき / variation |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 回路設計 / circuit design |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 籔内 美智太郎 / Michitarou Yabuuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大島 梓 / Azusa Oshima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 駒脇 拓弥 / Takuya Komawaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸田 亮 / Ryo Kishida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古田 潤 / Jun Furuta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | Pieter Weckx / Pieter Weckx |
| 第 7 著者 所属（和/英） | KU Leuven/Interuniversity Microelectronics Centre(略称：KUL/IMEC) KU Leuven/Interuniversity Microelectronics Centre(略称：KUL/IMEC) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | Ben Kaczer / Ben Kaczer |
| 第 8 著者 所属（和/英） | Interuniversity Microelectronics Centre(略称：IMEC) Interuniversity Microelectronics Centre(略称：IMEC) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 松本 高士 / Takashi Matsumoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) University of Tokyo(略称：Univ. of Tokyo) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-11-28 |
| 資料番号 | VLD2016-52,DC2016-46 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | VLD-330,DC-331 |
| ページ範囲 | pp.49-54(VLD), pp.49-54(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |