| 講演名 | 2016-11-28 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価 一二三 潤(京都工繊大), 梅原 成宏(京都工繊大), 丸岡 晴喜(京都工繊大), 古田 潤(京都工繊大), 小林 和淑(京都工繊大), |
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| 抄録(和) | 微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ．本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI プロセスにおいてレイアウト構造の異なる FF を試作，重イオン照射測定を実施しソフトエラー耐性への影響を評価する．65 nm ではレイアウト構造によるソフトエラー耐性への影響は見られなかったが，28 nm ではラッチを構成するトランジスタ間の距離を広いレイアウトで，高い LET を持つ重イオンを照射した場合のソフトエラー耐性が大きく低下することが分かった． |
| 抄録(英) | We evaluate tolerance for soft errors of FFs on a 28/65 nm FDSOI. We fabricated three different layouts of non-redundant FFs with same circuit area and, carried out heavy-ion measurement. Radiation hardbess isinfluenced by layout structures. Heavy ion irradiation reveals that the separated diffusion layout structure in 28 nm have 2x more cross section than shared diffusion one by the irradation of 40 MeV-cm2/mg ions. Flip-flops in 65 nm have almost equivalent cross sections at any energies. It is due to flucations of soft error tolerance caused by effects of layout structures of more scaled 28 nm node. |
| キーワード(和) | ソフトエラー / 重イオン / FDSOI / フリップフロップ |
| キーワード(英) | Soft Error / Heavy Ion / FDSOI / Flip Flop |
| 資料番号 | VLD2016-51,DC2016-45 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / CPSY / RECONF / CPM / ICD / IE |
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| 開催期間 | 2016/11/28(から3日開催) |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 竹中 崇(NEC) / 井上 美智子(奈良先端大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 藤島 実(広島大) / 高村 誠之(NTT) |
| 委員長氏名（英） | Takashi Takenana(NEC) / Michiko Inoue(NAIST) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Seishi Takamura(NTT) |
| 副委員長氏名（和） | 越智 裕之(立命館大) / 福本 聡(首都大東京) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 浜本 隆之(東京理科大) / 市ヶ谷 敦郎(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroyuki Ochi(Ritsumeikan Univ.) / Satoshi Fukumoto(Tokyo Metropolitan Univ.) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Hideto Hidaka(Renesas) / Takayuki Hamamoto(Tokyo Univ. of Science) / Atsuro Ichigaya(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 永山 忍(広島市大) / 吉村 正義(京都産大) / 金子 晴彦(東工大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山口 佳樹(筑波大) / 谷川 一哉(広島市大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 坂東 幸浩(NTT) / 宮田 高道(千葉工大) |
| 幹事氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Shinobu Nagayama(Hiroshima City Univ.) / Masayoshi Yoshimura(Kyoto Sangyo Univ.) / Haruhiko Kaneko(Tokyo Inst. of Tech.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Kazuya Tanigawa(Hiroshima City Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Yukihiro Bandoh(NTT) / Takamichi Miyata(Chiba Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | Parizy Matthieu(富士通研) / / 大川 猛(宇都宮大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 河村 圭(KDDI研) / 高橋 桂太(名大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Parizy Matthieu(Fujitsu Labs.) / / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Kei Kawamura(KDDI R&D Labs.) / Keita Takahashi(Nagoya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Image Engineering |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Soft Error Rates of FlipFlops on FDSOI by Heavy Ions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソフトエラー / Soft Error |
| キーワード(2)（和/英） | 重イオン / Heavy Ion |
| キーワード(3)（和/英） | FDSOI / FDSOI |
| キーワード(4)（和/英） | フリップフロップ / Flip Flop |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 一二三 潤 / Masashi Hifumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梅原 成宏 / Shigehiro Umehara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丸岡 晴喜 / Haruki Maruoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古田 潤 / Jun Furuta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2016-11-28 |
| 資料番号 | VLD2016-51,DC2016-45 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | VLD-330,DC-331 |
| ページ範囲 | pp.43-48(VLD), pp.43-48(DC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |