講演名 2016-11-17
電磁界シミュレーションにおける金属薄膜のモデリング手法に関する基礎検討
花澤 理宏(UL Japan), 中山 勝(UL Japan), 山中 稔(UL Japan),
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抄録(和) 金属薄膜の電磁波シールド効果を理論的に検討する手法としてシェルクノフの式が用いられているが、測定結果と一致しないとの報告がある.そこで,シェルクノフの式,新たに提案されている理論式および電磁界シミュレーションを用いて金属薄膜のシールド効果を検討した.検討の結果,電磁界シミュレーションおよび新たに提案された理論式から算出したシールド特性は良好に一致した.更に金属薄膜を有する大型モデルの電磁界シミュレーションを行う際に計算メモリー削減手法についても検討を行ったので合わせて報告する.
抄録(英)
キーワード(和) 電磁界シミュレーション / 金属薄膜 / 電磁波シールド
キーワード(英)
資料番号 MW2016-119
発行日 2016-11-10 (MW)

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2016/11/17(から2日開催)
開催地(和) 佐賀大学
開催地(英) Saga Univ.
テーマ(和) マイクロ波一般
テーマ(英) Microwave Technologies
委員長氏名(和) 石川 容平(京大)
委員長氏名(英) Yohei Ishikawa(Kyoto Univ.)
副委員長氏名(和) 九鬼 孝夫(国士舘大) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 田島 賢一(三菱電機)
副委員長氏名(英) Takao Kuki(Kokushikan Univ.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Kenichi Tajima(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 佐藤 潤二(パナソニック) / 平野 拓一(東工大)
幹事氏名(英) Junji Sato(Panasonic) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.)
幹事補佐氏名(和) 關谷 尚人(山梨大) / 小野 哲(電通大)
幹事補佐氏名(英) Naoto Sekiya(Univ. of Yamanashi) / Satoshi Ono(Univ. of Electro-Comm.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Microwaves
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電磁界シミュレーションにおける金属薄膜のモデリング手法に関する基礎検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fundametan Study on Modeling Technique of Thin Metal Film in EM Simulation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電磁界シミュレーション
キーワード(2)(和/英) 金属薄膜
キーワード(3)(和/英) 電磁波シールド
第 1 著者 氏名(和/英) 花澤 理宏 / Masahiro Hanazawa
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社 UL Japan(略称:UL Japan)
UL Japan(略称:UL Japan)
第 2 著者 氏名(和/英) 中山 勝 / Masaru Nakayama
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社 UL Japan(略称:UL Japan)
UL Japan(略称:UL Japan)
第 3 著者 氏名(和/英) 山中 稔 / Minoru Yamanaka
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社 UL Japan(略称:UL Japan)
UL Japan(略称:UL Japan)
発表年月日 2016-11-17
資料番号 MW2016-119
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) MW-310
ページ範囲 pp.15-19(MW),
ページ数 5
発行日 2016-11-10 (MW)