講演名 2016-11-18
溶液成長法による硫化スズ膜形成における下地基板の検討
野毛 悟(沼津高専),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 CPM2016-61
発行日 2016-11-11 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2016/11/18(から2日開催)
開催地(和) 金沢工大 扇が丘キャンパス
開催地(英)
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 野毛 悟(沼津高専)
委員長氏名(英) Satoru Noge(Numazu National College of Tech.)
副委員長氏名(和) 廣瀬 文彦(山形大)
副委員長氏名(英) Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
幹事氏名(和) 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大)
幹事氏名(英) Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 溶液成長法による硫化スズ膜形成における下地基板の検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study of the underlying substrate in SnS film formation by chemical bath deposition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 野毛 悟 / Satoru Noge
第 1 著者 所属(和/英) 沼津工業高等専門学校(略称:沼津高専)
National Institute of Technology, Numazu college(略称:NIT, Numazu college)
発表年月日 2016-11-18
資料番号 CPM2016-61
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) CPM-311
ページ範囲 pp.1-4(CPM),
ページ数 4
発行日 2016-11-11 (CPM)