| 講演名 | 2016-11-19 TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長 武山 真弓(北見工大), 佐藤 勝(北見工大), |
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| 抄録(和) | 2.5D-LSIあるいはSi-LSIにおけるトランジスタ周りにおいて、低抵抗なCuを(111)面に高配向成長させて用いようとする動きがある。そこで本研究では、5nmのTaWN3元合金バリヤを用いて、Cu(111)面の高配向成長が可能かどうか調べた。その結果、エピタキシャルの関係を持つCu(111)/Nb(110)にほぼ匹敵する優れた配向がTaWN膜上で得られることがわかった。一方、TaWN膜は、Cuのバリヤとしての機能も併せ持ち、700℃で1時間の熱処理後においても、Cuの拡散を抑制できる優れたバリヤ材料としても機能し得ることが明らかとなった。さらには、TaWN膜は、3元合金膜の中で低抵抗であり、バリヤとしての特性もCu(111)を得る下地材料としての特性も極めて有用であるという優れた材料となることがわかった。 |
| 抄録(英) | In this study, we examine that the Cu grain orientation control on the 5-nm-thick TaWN ternary alloy barrier. The strongly-preferential oriented Cu(111) layer is observed on thin TaWN barrier even in the as-deposited Cu(100 nm)/TaWN(5 nm)/Si system. Also, this system is tolerated annealing at 700 ̊C for 1 h without excess reaction and diffusion. It is revealed that the TaWN film is one of the excellent barrier having the thermal stability and low resistivity. Simultaneously, the TaWN film is candidate for superior underlayer to obtain the preferential orientation of Cu(111). |
| キーワード(和) | Cuプラグ / 2.5D-LSI / 高配向成長 / TaWN / 3元合金膜 |
| キーワード(英) | Cu plug / 2.5D-LSI / preferential orientation / TaWN / ternary alloy film |
| 資料番号 | CPM2016-69 |
| 発行日 | 2016-11-11 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2016/11/18(から2日開催) |
| 開催地（和） | 金沢工大 扇が丘キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cu(111) preferential orientation on TaWN ternary alloy barrier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cuプラグ / Cu plug |
| キーワード(2)（和/英） | 2.5D-LSI / 2.5D-LSI |
| キーワード(3)（和/英） | 高配向成長 / preferential orientation |
| キーワード(4)（和/英） | TaWN / TaWN |
| キーワード(5)（和/英） | 3元合金膜 / ternary alloy film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Technol.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Technol.) |
| 発表年月日 | 2016-11-19 |
| 資料番号 | CPM2016-69 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | CPM-311 |
| ページ範囲 | pp.41-44(CPM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-11-11 (CPM) |