| 講演名 | 2016-10-27 SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 前田 康貴(東工大), 廣木 瑞葉(東工大), 大見 俊一郎(東工大), |
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| 抄録(和) | フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表面状態に依存することが報告されている。また、低電圧動作化および低消費電力化のためには、Siデバイスと同様にデバイスサイズの微細化が有効である。従来のフォトリソグラフィを有機半導体デバイスに適用する場合はボトムコンタクト型構造を用いるが、ボトムコンタクト型OFETの作製において、ソース/ドレイン電極パターン形成後の絶縁膜表面の特性を制御することが重要となる。今回、ボトムコンタクト電極のウェットエッチングプロセスがペンタセン薄膜の形成に与える影響について評価し、この影響を抑制するプロセスについて検討したので報告する。 |
| 抄録(英) | The growth of pentacene thin film, which is well known as p-type organic semiconductor, is sensitive for underneath material and surface roughness. Furthermore, scaling is effective for low-voltage operation and low power consumption of organic devices as well as Si devices. Bottom-contact structure is necessary to be introduced for the scaling and integration of OFETs utilizing conventional photolithography process. Therefore, surface property is important for pentacene film after source/drain electrode patterning. In this paper, we evaluated the effect of bottom contact electrode patterning process on pentacene film and investigated the process to suppress its process damage. |
| キーワード(和) | OFET / ペンタセン / 薄膜形成 / 表面モフォロジー |
| キーワード(英) | OFET / pentacene / thin film formation / surface morphology |
| 資料番号 | SDM2016-74 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2016/10/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on Pentacene Film Formation on SiO2 with Wet Process for Bottom-Contact Type OFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | OFET / OFET |
| キーワード(2)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜形成 / thin film formation |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣木 瑞葉 / Mizuha Hiroki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 発表年月日 | 2016-10-27 |
| 資料番号 | SDM2016-74 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-270 |
| ページ範囲 | pp.31-34(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |