講演名 2016-11-19
Microwaveを用いた溶液成長法によるZnO薄膜堆積
吉谷地 優聴(静岡大), 高野 泰(静岡大),
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抄録(和) 溶液成長法によりZnO薄膜を堆積させた。基板の処理や反応溶液の加熱にMicrowaveを用いて堆積させたZnO薄膜と、Microwaveを用いずにオイルバスで堆積させたZnO薄膜との比較をした。走査電子顕微鏡により、堆積条件を変えることで薄膜の表面モホロジーに違いが現れることが分かった。また、XRD測定により結晶の配向にも違いがみられた。
抄録(英) Zinc oxide (ZnO) film has been deposited using chemical bath deposition (CBD).We compared ZnO fims deposited by microwave heating of the substrate and reaction mixture with ZnO films deposited using oil bath srirrer. The thin films were investigated by secondary electoron microscopy, SEM and x-ray diffraction, XRD measurement. We obtained ZnO thin films which have various morphology by using microwave.
キーワード(和) ZnO / 溶液成長法(CBD) / II-VI族化合物 / Microwave
キーワード(英) zinc oxide / chemical bath deposition / II-VI compound semiconductor / Microwave
資料番号 CPM2016-72
発行日 2016-11-11 (CPM)

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2016/11/18(から2日開催)
開催地(和) 金沢工大 扇が丘キャンパス
開催地(英)
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 野毛 悟(沼津高専)
委員長氏名(英) Satoru Noge(Numazu National College of Tech.)
副委員長氏名(和) 廣瀬 文彦(山形大)
副委員長氏名(英) Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
幹事氏名(和) 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大)
幹事氏名(英) Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) Microwaveを用いた溶液成長法によるZnO薄膜堆積
サブタイトル(和)
タイトル(英) Microwave activated chemical bath deposition of ZnO thin films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ZnO / zinc oxide
キーワード(2)(和/英) 溶液成長法(CBD) / chemical bath deposition
キーワード(3)(和/英) II-VI族化合物 / II-VI compound semiconductor
キーワード(4)(和/英) Microwave / Microwave
第 1 著者 氏名(和/英) 吉谷地 優聴 / Hiroaki Yoshiyachi
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 高野 泰 / Yasushi Takano
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.)
発表年月日 2016-11-19
資料番号 CPM2016-72
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) CPM-311
ページ範囲 pp.55-58(CPM),
ページ数 4
発行日 2016-11-11 (CPM)