| 講演名 | 2016-10-27 ［招待講演］高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発 高橋 広樹(パナソニック・タワージャズセミコンダクター), 田中 浩司(パナソニック・タワージャズセミコンダクター), 小田 真弘(パナソニック・タワージャズセミコンダクター), 安藤 三善(パナソニック・タワージャズセミコンダクター), 新添 真人(パナソニック・タワージャズセミコンダクター), 河合 真一(PSCS), 浅野 拓也(PSCS), 吉田 貢(PSCS), 山田 徹(PSCS), |
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| 抄録(和) | 高い近赤外（NIR）感度と高い変調伝達関数（MTF）を同時に実現する為、2つのフォトダイオードを積層した新たな画素構造（Stacked Deep Photodiode : SDP）を開発した。 SDP構造の5.4μm 画素は、隣接する画素と完全に分離された10µm の深さを有するフォトダイオードにより、850nmの波長において、量子効率 (QE) 30% 、ナイキスト周波数においてMTF 40% を達成した。さらに、斜め入射光に対して最適化する事が可能なShifted-SDPは、入射角25 ºで850nmの波長においてクロストークを1.5%に抑制する事ができた。 |
| 抄録(英) | Novel pixel structure with Stacked Deep Photodiode (SDP) has been newly developed for both high Near Infra-Red (NIR) sensitivity and high Modulation Transfer Function (MTF). SDP with 5.4µm pixel pitch has achieved Quantum Efficiency (QE) of 30% and MTF of 40% at Nyquist frequency at 850nm wavelength by stacking photodiode completely separated from neighboring pixels. Furthermore, Shifted SDP which can be optimized for oblique incident light has suppressed crosstalk as low as 1.5% at 25 º at 850 nm wavelength. |
| キーワード(和) | NIR / MTF / 積層 / イメージセンサー / クロストーク |
| キーワード(英) | NIR / MTF / Stack / Image sensor / Crosstalk |
| 資料番号 | SDM2016-77 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2016/10/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | ENG-JTITLE |
| タイトル（和） | ［招待講演］高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Novel Pixel Structure with Stacked Deep Photodiode to Achieve High NIR Sensitivity and High MTF |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NIR / NIR |
| キーワード(2)（和/英） | MTF / MTF |
| キーワード(3)（和/英） | 積層 / Stack |
| キーワード(4)（和/英） | イメージセンサー / Image sensor |
| キーワード(5)（和/英） | クロストーク / Crosstalk |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 広樹 / Hiroki Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック・タワージャズ セミコンダクター株式会社(略称：パナソニック・タワージャズセミコンダクター) TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.(略称：TPSCo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 浩司 / Hiroshi Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック・タワージャズ セミコンダクター株式会社(略称：パナソニック・タワージャズセミコンダクター) TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.(略称：TPSCo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田 真弘 / Masahiro Oda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック・タワージャズ セミコンダクター株式会社(略称：パナソニック・タワージャズセミコンダクター) TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.(略称：TPSCo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安藤 三善 / Mitsuyoshi Ando |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック・タワージャズ セミコンダクター株式会社(略称：パナソニック・タワージャズセミコンダクター) TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.(略称：TPSCo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 新添 真人 / Naoto Niisoe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パナソニック・タワージャズ セミコンダクター株式会社(略称：パナソニック・タワージャズセミコンダクター) TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.(略称：TPSCo) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 河合 真一 / Shinichi Kawai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | パナソニック セミコンダクター ソリューションズ株式会社(略称：PSCS) Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.(略称：PSCS) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 浅野 拓也 / Takuya Asano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | パナソニック セミコンダクター ソリューションズ株式会社(略称：PSCS) Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.(略称：PSCS) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 吉田 貢 / Mitsugu Yoshita |
| 第 8 著者 所属（和/英） | パナソニック セミコンダクター ソリューションズ株式会社(略称：PSCS) Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.(略称：PSCS) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山田 徹 / Tohru Yamada |
| 第 9 著者 所属（和/英） | パナソニック セミコンダクター ソリューションズ株式会社(略称：PSCS) Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.(略称：PSCS) |
| 発表年月日 | 2016-10-27 |
| 資料番号 | SDM2016-77 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-270 |
| ページ範囲 | pp.45-48(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |