| 講演名 | 2016-10-20 金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御 中野 陽介(九大), 岡部 京太(九大), 木村 崇(九大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | デジタル情報化社会の急速な普及による情報量の爆発的増大により、革新的原理を有する不揮発メモリの登場が期待されている。今回我々は、アモルファス金属とNiOの複合ナノ構造からなる新奇なメモリ素子を開発した。この素子は、電界印加によって誘起される抵抗値変化を利用し、情報の保持、書き換えを行う。また、情報の不揮発性と高い応答速度を併せ持ち、１V程度という低い電圧領域で駆動するという特徴をもつ。講演では、素子の詳細な動特性と、その動作機構について議論する。 |
| 抄録(英) | Development of nano-scale non-volatile memory is responsible for corresponding to increasing of amount of information due to the growing availability of information society. In this study, we have developed novel memory device consisting of amorphous-metal/NiO bilayer structure. In this device, resistive switching is controlled by applying bias voltage. This device have many advantages, such as non-volatile characteristic, low operation voltage, fast response speed. We will show the detailed results about the device characterization and explain the proposed switching mechanism. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / アモルファス金属 / 磁性酸化物 |
| キーワード(英) | non-volatile memory / amorphous metal / magnetic oxide |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR / ITE-MMS |
|---|---|
| 開催期間 | 2016/10/20(から2日開催) |
| 開催地（和） | 九州大学西新プラザ |
| 開催地（英） | Nishijin Plaza |
| テーマ（和） | ヘッド・スピントロニクス，一般 |
| テーマ（英） | Magnetic head, Spintronics, etc. |
| 委員長氏名（和） | 岡本 好弘(愛媛大) / 宮下 英一(NHK) |
| 委員長氏名（英） | Yoshihiro Okamoto(Ehime Univ.) / Eiichi Miyashita(NHK) |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | 赤城 文子(工学院大) / 島 隆之(産総研) / 竹下 伸夫(三菱電機) |
| 幹事氏名（英） | Fumiko Akagi(Kogakuin Univ.) / Takayuki Shima(AIST) / Nobuo Takeshita(Mitsubishi Electric Corp.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 工藤 究(東芝) / 吉田 周平(近畿大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kiwamu Kudo(Toshiba) / Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Magnetic Recording / Technical Group on Multi-media Storage |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resistive switching in planar metal/NiO bilayer system with low voltage operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファス金属 / amorphous metal |
| キーワード(3)（和/英） | 磁性酸化物 / magnetic oxide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中野 陽介 / Yosuke Nakano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡部 京太 / Kyota Okabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 崇 / Takashi Kimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-10-20 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | MR-258 |
| ページ範囲 | pp.-(), |
| ページ数 | |
| 発行日 | |