講演名 2016-10-26
グラフェンをゲート電極に用いた平面型電子放出素子
村上 勝久(産総研), 田中 駿丞(筑波大), 長尾 昌善(産総研), 根本 善弘(物質・材料研究機構), 竹口 雅樹(物質・材料研究機構), 藤田 淳一(筑波大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2016-51
発行日 2016-10-18 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2016/10/25(から2日開催)
開催地(和) 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL)
開催地(英)
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術
テーマ(英)
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線)
幹事氏名(英) Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC)
幹事補佐氏名(和) 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大)
幹事補佐氏名(英) Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) グラフェンをゲート電極に用いた平面型電子放出素子
サブタイトル(和)
タイトル(英) A planer-type electron emission device using graphene gate electrode
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami
第 1 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 2 著者 氏名(和/英) 田中 駿丞 / Shunsuke Tanaka
第 2 著者 所属(和/英) 筑波大学(略称:筑波大)
University of Tsukuba(略称:Univ. Tsukuba)
第 3 著者 氏名(和/英) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao
第 3 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 4 著者 氏名(和/英) 根本 善弘 / Yoshihiro Nemoto
第 4 著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 5 著者 氏名(和/英) 竹口 雅樹 / Masaki Takeguchi
第 5 著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 6 著者 氏名(和/英) 藤田 淳一 / Jun-ichi Fujita
第 6 著者 所属(和/英) 筑波大学(略称:筑波大)
University of Tsukuba(略称:Univ. Tsukuba)
発表年月日 2016-10-26
資料番号 ED2016-51
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) ED-268
ページ範囲 pp.37-40(ED),
ページ数 4
発行日 2016-10-18 (ED)