講演名 | 2016-10-26 CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価 増澤 智昭(静岡大), 根尾 陽一郎(静岡大), 後藤 康仁(京大), 岡本 保(木更津高専), 長尾 昌善(産総研), 佐藤 信浩(京大), 秋吉 優史(阪府大), 高木 郁二(京大), 三村 秀典(静岡大), |
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抄録(和) | 福島第一原発の廃炉に向けて,高い放射線耐性を持つ撮像素子の開発が求められている.本研究では耐放射線FEA撮像素子に組み込むための光電変換膜開発のため,CdTe/CdSダイオードへのガンマ線照射による光電変換特性の変化および撮像特性の評価を行った.コバルト60を用いたガンマ線照射実験では,1 MGyの照射ではダイオードの光電変換特性が変化しないことが確認された. |
抄録(英) | In this study, radiation tolerance of CdTe/CdS photodiode was investigated. Irradiation of gamma-ray from cobalt-60 with a total dose of 1 MGy did not result in degradation of photoconductivity. The present result suggests that this type of photodiode is suitable to be used as a photoconductive target of a vidicon-type image sensor. |
キーワード(和) | 耐放射線 / 撮像素子 / CdTe / FEA / gamma-ray |
キーワード(英) | Radiation-tolerant / Image sensor / CdTe / FEA / gamma-ray |
資料番号 | ED2016-56 |
発行日 | 2016-10-18 (ED) |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2016/10/25(から2日開催) |
開催地(和) | 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) |
開催地(英) | |
テーマ(和) | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 前澤 宏一(富山大) |
委員長氏名(英) | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
副委員長氏名(和) | 津田 邦男(東芝) |
副委員長氏名(英) | Kunio Tsuda(Toshiba) |
幹事氏名(和) | 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
幹事氏名(英) | Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
幹事補佐氏名(和) | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
幹事補佐氏名(英) | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Radiation tolerance of CdTe/CdS photoconductive target |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 耐放射線 / Radiation-tolerant |
キーワード(2)(和/英) | 撮像素子 / Image sensor |
キーワード(3)(和/英) | CdTe / CdTe |
キーワード(4)(和/英) | FEA / FEA |
キーワード(5)(和/英) | gamma-ray / gamma-ray |
第 1 著者 氏名(和/英) | 増澤 智昭 / Tomoaki Masuzawa |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学(略称:静岡大) Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学(略称:静岡大) Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学(略称:京大) Kyoto University(略称:Kyoto Univ.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 岡本 保 / Tamotsu Okamoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 木更津工業高等専門学校(略称:木更津高専) National Institute of Technology, Kisarazu College(略称:National Inst. of Technol. Kisarazu College) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
第 5 著者 所属(和/英) | 産業技術総合研究所(略称:産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 佐藤 信浩 / Nobuhiro Sato |
第 6 著者 所属(和/英) | 京都大学(略称:京大) Kyoto University(略称:Kyoto Univ.) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 秋吉 優史 / Masafumi Akiyoshi |
第 7 著者 所属(和/英) | 大阪府立大学(略称:阪府大) Osaka Prefecture University(略称:Osaka Prefecture Univ.) |
第 8 著者 氏名(和/英) | 高木 郁二 / Ikuji Takagi |
第 8 著者 所属(和/英) | 京都大学(略称:京大) Kyoto University(略称:Kyoto Univ.) |
第 9 著者 氏名(和/英) | 三村 秀典 / Hidenori Mimura |
第 9 著者 所属(和/英) | 静岡大学(略称:静岡大) Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ.) |
発表年月日 | 2016-10-26 |
資料番号 | ED2016-56 |
巻番号(vol) | vol.116 |
号番号(no) | ED-268 |
ページ範囲 | pp.63-66(ED), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2016-10-18 (ED) |