| 講演名 | 2016-10-25 シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） 嶋脇 秀隆(八戸工大), 長尾 昌善(産総研), 根尾 陽一郎(静岡大), 三村 秀典(静岡大), 若家 冨士男(阪大), 高井 幹夫(阪大), |
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| 抄録(和) | p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パルス照射により変調電子ビームを発生させることができる。光応答性を高めるためには、空乏層外での光電子を抑制する必要があるため、極微ゲート孔のボルケーノ構造シリコンエミッタアレイを作製し、光応答性を評価した。 |
| 抄録(英) | We have fabricated silicon field emitter arrays with submicron gate opening by using etch-back technique and investigated the emission characteristics and photoresponse of the devices under irradiation of laser pulses. The current pulses from the device with the same response of the laser pulse have been observed. |
| キーワード(和) | シリコンフィールドエミッタアレイ / 光支援電界電子放出 / 変調電子ビーム / ボルケーノ構造 |
| キーワード(英) | silicon field emitter array / photoassisted electron emission / modulated electron beam / volcano structure |
| 資料番号 | ED2016-46 |
| 発行日 | 2016-10-18 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/10/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 鈴木 寿一(北陸先端大) / 新井 学(新日本無線) |
| 幹事氏名（英） | Toshikazu Suzuki(JAIST) / Manabu Arai(New JRC) |
| 幹事補佐氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the photoresponse of silicon field emitter arrays (II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフィールドエミッタアレイ / silicon field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | 光支援電界電子放出 / photoassisted electron emission |
| キーワード(3)（和/英） | 変調電子ビーム / modulated electron beam |
| キーワード(4)（和/英） | ボルケーノ構造 / volcano structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 八戸工業大学(略称：八戸工大) Hachinohe Institute of Technology(略称：HIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若家 冨士男 / Fujio Wakaya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高井 幹夫 / Mikio Takai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-10-25 |
| 資料番号 | ED2016-46 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-268 |
| ページ範囲 | pp.13-15(ED), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2016-10-18 (ED) |