| 講演名 | 2016-08-02 ［招待講演］超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 橋本 昌宜(阪大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする超低電圧に注目する。地上の環境では高エネルギー中性子がソフトエラーの主要因であり、加速器を用いた照射実験によって得られた高エネルギー中性子起因SERを紹介する。65nm バルクトランジスタを用いたSRAM、ならびにFD-SOIの一種であるSOTB (silicon on thin buried oxide)トランジスタを用いた65nm SRAMの測定結果を示し、それぞれのMCU (multiple cell upset)の発生原因を議論する。 |
| 抄録(英) | This paper discusses soft error immunity of near-threshold/subthreshold SRAM. In terrestrial environment, high-energy neutron is the major soft error source, and neutron-induced soft error rates measured using an accelerator are presented. We show measurement results for 65nm bulk SRAM and 65nm SOTB (silicon on thin buried oxide) SRAM, where SOTB is a kind of FD-SOI. Also, the mechanisms of MCU (multiple cell upset) are discussed. |
| キーワード(和) | SRAM / ソフトエラー / 中性子 / ソフトラーレート / FD-SOI / ニアスレッショルド回路 / サブスレッショルド回路 |
| キーワード(英) | SRAM / soft error / neutron / soft error rate / FD-SOI / near-threshold circuit / subthreshold circuit |
| 資料番号 | SDM2016-54,ICD2016-22 |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
|---|---|
| 開催期間 | 2016/8/1(から3日開催) |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 品田 高宏(東北大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Takayuki Hamamoto(東京理科大) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Soft Error Immunity of Ultra-Low Voltage SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ソフトエラー / soft error |
| キーワード(3)（和/英） | 中性子 / neutron |
| キーワード(4)（和/英） | ソフトラーレート / soft error rate |
| キーワード(5)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(6)（和/英） | ニアスレッショルド回路 / near-threshold circuit |
| キーワード(7)（和/英） | サブスレッショルド回路 / subthreshold circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 昌宜 / Masanori Hashimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-08-02 |
| 資料番号 | SDM2016-54,ICD2016-22 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-172,ICD-173 |
| ページ範囲 | pp.53-58(SDM), pp.53-58(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) |