| 講演名 | 2016-08-25 オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 菅野 絵理奈(NTT), 武田 浩司(NTT), 藤井 拓郎(NTT), 長谷部 浩一(NTT), 西 英隆(NTT), 山本 剛(NTT), 硴塚 孝明(NTT), 松尾 慎治(NTT), |
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| 抄録(和) | 短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2を介してSi基板上に作製することで、活性層への強い光閉じ込めを実現し、レーザの低消費エネルギー化を図ってきた。今回、チップ間光インターコネクトに適した活性層体積のレーザを実現するため、活性層長10～20 $myu$mの短共振器構造で発振する共振器を設計し、レーザを作製した。活性層長10 $myu$mのレーザに関しては、分布ブラッグ反射鏡（DBR）構造を採用し、DBRレーザで世界最小のしきい電流0.17 mAで室温連続発振が得られ、単一モード動作を確認した。また、活性層長20 $myu$mのレーザに関しては、位相シフトDFBレーザの両側にDBRを設けた両側分布反射型（DR）レーザを作製し、しきい値電流0.66 mAで室温連続発振が得られ、単一モード動作を確認した。 |
| 抄録(英) | It is required to reduce energy consumptions of directly modulated semiconductor lasers to realize very short distance optical interconnects. Chip to chip optical interconnects require lasers with their active length of 10~20 $myu$m. We have developed ultra-short cavity InP-based membrane lasers on SiO2/Si substrates, because these structures enable small energy consumptions due to the large optical confinement. By applying distributed Bragg reflector (DBR) structures, we successfully reduced the active length to 10 $myu$m. The DBR laser exhibited a threshold current of 0.17 mA. We also fabricated 20 $myu$m long $lambda$/4-shifted DFB lasers with DBR mirrors on the both sides (twin mirror DR laser). It exhibits a threshold current of 0.66 mA. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / ウエハ接合 / シリコンフォトニクス / 短共振器レーザ / DBRレーザ / DRレーザ |
| キーワード(英) | Semiconductor Laser / Wafer bonding / Silicon photonics / Short cavity laser / DBR laser / DR laser |
| 資料番号 | R2016-19,EMD2016-23,CPM2016-32,OPE2016-53,LQE2016-28 |
| 発行日 | 2016-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE / EMD / R / CPM |
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| 開催期間 | 2016/8/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 函館ロワジールホテル |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般（OECC報告） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野田 進(京大) / 小川 憲介(フジクラ) / 阿部 宜輝(NTT) / 馬渡 宏泰(NTT) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Yoshiteru Abe(NTT) / Hiroyasu Mawatari(NTT) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 山本 剛之(富士通研) / 加藤 和利(九大) / / 弓削 哲史(防衛大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Tsuyoshi Yamamoto(Fujitsu Labs.) / Kazutoshi Kato(Kyushu Univ.) / / Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 藤原 直樹(NTT) / 片桐 崇史(東北大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) / 安里 彰(富士通) / 岡村 寛之(広島大) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Naoki Fujiwara(NTT) / Takashi Katagiri(Tohoku Univ.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) / Akira Asato(Fujitsu) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | / 荒武 淳(NTT) / 中津原 克己(神奈川工科大) / 萓野 良樹(電通大) / 林 優一(東北学院大) / マラット ザニケエフ(九工大) / 田村 信幸(法政大) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | / Atsushi Aratake(NTT) / Katsumi Nakatsuhara(Kanagawa Inst. of Tech.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Hayashi(Tohoku Gakuin Univ.) / Maratt Zanikef(Kyushu Inst. of Tech.) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Continuous-wave Operation of Ultra-short Cavity Membrane Lasers on Si Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor Laser |
| キーワード(2)（和/英） | ウエハ接合 / Wafer bonding |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(4)（和/英） | 短共振器レーザ / Short cavity laser |
| キーワード(5)（和/英） | DBRレーザ / DBR laser |
| キーワード(6)（和/英） | DRレーザ / DR laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菅野 絵理奈 / Erina Kanno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武田 浩司 / Koji Takeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷部 浩一 / Koichi Hasebe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西 英隆 / Hidetaka Nishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山本 剛 / Tsuyoshi Yamamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2016-08-25 |
| 資料番号 | R2016-19,EMD2016-23,CPM2016-32,OPE2016-53,LQE2016-28 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | R-191,EMD-192,CPM-193,OPE-194,LQE-195 |
| ページ範囲 | pp.1-4(R), pp.1-4(EMD), pp.1-4(CPM), pp.1-4(OPE), pp.1-4(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |