| 講演名 | 2016-07-24 CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性 田辺 直之(東工大), 島中 智史(東工大), 須田 慶太(東工大), 渡辺 正裕(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2016-34 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/7/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room temperature negative differential resistance of CaF2/Si/CaF2 resonant tunneling diode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 直之 / Naoyuki Tanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 島中 智史 / Satoshi Shimanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須田 慶太 / Keita Suda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro Watanabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2016-07-24 |
| 資料番号 | ED2016-34 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-158 |
| ページ範囲 | pp.35-39(ED), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |