| 講演名 | 2016-07-24 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード 新川 綾佳(東京農工大), 脇谷 実(東京農工大), 前田 裕貴(東京農工大), 塚本 貴広(東京農工大), 須田 良幸(東京農工大), |
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| 抄録(和) | ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製した，正孔トンネル型Si1-xGex/Si系非対称2重量子井戸共鳴トンネルダイオード（ASDQW p-RTD）について，構造と作製プロセスの最適化を行った．結晶性の観点から，Ge組成比の最大値はおよそ0.18と分かった．また，共鳴電圧におけるコレクタ層側の障壁高さと共鳴トンネル準位の差が大きくなるようにp-RTDの設計を行った．その結果，Ge組成比0.18で作製した素子で，熱放射成分が抑制されて，共鳴トンネル電流が35 kA/cm2，山対谷電流比（PVCR）が~16の，従来より高い値を示す良好な特性が得られた． |
| 抄録(英) | Hole-tunneling Si1-xGex/Si asymmetric-double-quantum-well resonant tunneling diode (ASDQW p-RTD) was optimized in terms of its structure and fabrication processes with the gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE) method. From the aspect of crystallinity, the maximum Ge content was found to be ~0.18. We also designed the p-RTD so that the difference between the barrier height, in the collector side, and the resonant tunneling energy at the resonance voltage became larger. The fabricated Si0.82Ge0.18/Si p-RTD exhibited the highest performance with a resonant tunneling current ratio (PVCR) of 16, with suppression of thermionic emission, which are larger than those reported by others by factors of 1.5 and 7, respectively. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネルダイオード / SiGe |
| キーワード(英) | Resonance tunneling diode / SiGe |
| 資料番号 | ED2016-33 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/7/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hole-Tunneling Si1-xGex/Si DQW RTD with High Resonant Current |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Resonance tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新川 綾佳 / Ayaka Shinkawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 脇谷 実 / Minoru Wakiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前田 裕貴 / Yuki Maeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 塚本 貴広 / Takahiro Tsukamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須田 良幸 / Yoshiyuki Suda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 発表年月日 | 2016-07-24 |
| 資料番号 | ED2016-33 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-158 |
| ページ範囲 | pp.31-34(ED), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |