| 講演名 | 2016-07-23 p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 土屋 充沙(東京農工大), 塚本 貴広(東京農工大), 須田 良幸(東京農工大), |
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| 抄録(和) | 我々は最近，不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-Cu2O/SiCxOy(電子捕獲層)/n-SiC/n-Si構造のpnメモリダイオードを提案した．今回，電子捕獲層について探索し，SiCxOy層に替えて，AlOx層を挿入したp-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造のメモリダイオードを提案した．本メモリで良好な不揮発性メモリ特性と整流特性を得た．また，従来のメモリダイオードのスイッチング電圧は5~6 Vであったが，本メモリダイオードで4 V以下の低スイッチング電圧動作が得られた． |
| 抄録(英) | We have previously proposed a two-terminal resistive nonvolatile p-Cu2O/SiCxOy(an electron-trapping layer)/n-SiC/n-Si-structured pn memory diode for the cross-point memory cell array. In this research, we investigated an electron trapping layer and replaced SiCxOy with AlOx, and propose a p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si-structured pn memory diode. Using this memory diode, we obtained a good resistive nonvolatile memory behavior with a good rectifying characteristic. And also, we obtained switching voltages of not more than 4 V which is lower than the previous switching voltages of 5-6 V with the previous memory diode. |
| キーワード(和) | 抵抗変化型不揮発性メモリ / クロスポイント配列 |
| キーワード(英) | Resistive nonvolatile memory / Cross-point memory array |
| 資料番号 | ED2016-30 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/7/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si Structured Nonvolatile pn Memory Diode with Low-Switching Voltage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型不揮発性メモリ / Resistive nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | クロスポイント配列 / Cross-point memory array |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 充沙 / Misa Tsuchiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 塚本 貴広 / Takahiro Tsukamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須田 良幸 / Yoshiyuki Suda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京農工大学(略称：東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology(略称：Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 発表年月日 | 2016-07-23 |
| 資料番号 | ED2016-30 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-158 |
| ページ範囲 | pp.17-20(ED), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |