| 講演名 | 2016-07-23 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT 尾崎 史朗(富士通研), 牧山 剛三(富士通研), 多木 俊裕(富士通研), 鎌田 陽一(富士通研), 佐藤 優(富士通研), 新井田 佳孝(富士通研), 岡本 直哉(富士通研), 常信 和清(富士通研), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2016-27 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/7/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface-oxide-controlled InAlN/GaN MOS-HEMT Using Water Vapor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鎌田 陽一 / Yoichi Kamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru Sato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 新井田 佳孝 / Yoshitaka Niida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya Okamoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo Joshin |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Lab.) |
| 発表年月日 | 2016-07-23 |
| 資料番号 | ED2016-27 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-158 |
| ページ範囲 | pp.1-4(ED), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |