| 講演名 | 2016-08-03 ［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC 高橋 睦史(ルネサス システムデザイン), 芝原 真一(ルネサス システムデザイン), 福岡 一樹(ルネサス システムデザイン), 松嶋 潤(ルネサス システムデザイン), 北地 祐子(ルネサス システムデザイン), 島崎 靖久(ルネサス エレクトロニクス), 原 博隆(ルネサス エレクトロニクス), 入田 隆宏(ルネサス エレクトロニクス), |
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| 抄録(和) | 本稿では，機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて述べる．本SoCは以下の2つの機能を有する．1) ランダム故障，絶縁破壊，エレクトロマイグレーションに代表される摩耗故障を検出できる，機能安全向けランタイムセルフテスト機能．2) 急激な電圧降下により生ずる遅延故障を防止できる，電圧降下予測機能を持つKiller-droop モニター． |
| 抄録(英) | This paper presents an SoC for the next generation of car infotainment, achieving high performance powered by nine heterogeneous CPUs and a high level of safety, supporting ISO26262 ASIL B. It has two key features: 1) Run-time test for functional safety, which can detect wear-out failures, such as random failure, time-dependent dielectric breakdown, and electromigration; 2) A killer-droop (critical voltage droop) monitor with droop prediction, which can avoid a delay fault caused by voltage droop. |
| キーワード(和) | ISO26262 / ASIL B / 機能安全 / ランタイムセルフテスト / 電圧降下予測 |
| キーワード(英) | ISO26262 / ASIL B / Functional safety / Run-time self test / Voltage droop prediction |
| 資料番号 | SDM2016-64,ICD2016-32 |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / SDM / ITE-IST |
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| 開催期間 | 2016/8/1(から3日開催) |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 須川 成利(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Shigetoshi Sugawa(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 品田 高宏(東北大) / 浜本 隆之(東京理科大) / 大竹 浩(NHK) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Takayuki Hamamoto(東京理科大) / Hiroshi Ohtake(NHK) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 橋本 隆(パナソニック) / 夏井 雅典(東北大) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 池田 浩也(静岡大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Hashimoto(Panasonic) / Masanori Natsui(Tohoku Univ.) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Sensing Technologies |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] A 16nm FinFET Heterogeneous Nona-Core SoC Supporting Functional Safety Standard ISO26262 ASIL B |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ISO26262 / ISO26262 |
| キーワード(2)（和/英） | ASIL B / ASIL B |
| キーワード(3)（和/英） | 機能安全 / Functional safety |
| キーワード(4)（和/英） | ランタイムセルフテスト / Run-time self test |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧降下予測 / Voltage droop prediction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 睦史 / Chikafumi Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサス システムデザイン株式会社(略称：ルネサス システムデザイン) Renesas System Design Co., Ltd.(略称：Renesas System Design) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 芝原 真一 / Shinichi Shibahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサス システムデザイン株式会社(略称：ルネサス システムデザイン) Renesas System Design Co., Ltd.(略称：Renesas System Design) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福岡 一樹 / Kazuki Fukuoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサス システムデザイン株式会社(略称：ルネサス システムデザイン) Renesas System Design Co., Ltd.(略称：Renesas System Design) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松嶋 潤 / Jun Matsushima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサス システムデザイン株式会社(略称：ルネサス システムデザイン) Renesas System Design Co., Ltd.(略称：Renesas System Design) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 北地 祐子 / Yuko Kitaji |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサス システムデザイン株式会社(略称：ルネサス システムデザイン) Renesas System Design Co., Ltd.(略称：Renesas System Design) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 島崎 靖久 / Yasuhisa Shimazaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 原 博隆 / Hirotaka Hara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 入田 隆宏 / Takahiro Irita |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称：Renesas Electronics) |
| 発表年月日 | 2016-08-03 |
| 資料番号 | SDM2016-64,ICD2016-32 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-172,ICD-173 |
| ページ範囲 | pp.105-110(SDM), pp.105-110(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) |