講演名 2016-07-23
AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ
鈴木 寿一(北陸先端大), Son Phuong Le(北陸先端大), 宇井 利昌(北陸先端大), Tuan Quy Nguyen(北陸先端大), Hong-An Shih(北陸先端大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2016-28
発行日 2016-07-16 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2016/7/23(から2日開催)
開催地(和) 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室
開催地(英) Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般
テーマ(英) Semiconductor Processes and Devices
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Lorentzian low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 2 著者 氏名(和/英) Son Phuong Le / Son Phuong Le
第 2 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 3 著者 氏名(和/英) 宇井 利昌 / Toshimasa Ui
第 3 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 4 著者 氏名(和/英) Tuan Quy Nguyen / Tuan Quy Nguyen
第 4 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 5 著者 氏名(和/英) Hong-An Shih / Hong-An Shih
第 5 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
発表年月日 2016-07-23
資料番号 ED2016-28
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) ED-158
ページ範囲 pp.5-9(ED),
ページ数 5
発行日 2016-07-16 (ED)