| 講演名 | 2016-07-23 Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 小西 敬太(NICT), 上村 崇史(NICT), ワン マンホイ(NICT), 佐々木 公平(タムラ製作所), 倉又 朗人(タムラ製作所), 山腰 茂伸(タムラ製作所), 東脇 正高(NICT), |
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| 抄録(和) | 現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっている．今回，SiO2膜のポストアニール条件を調査し，Ga2O3上におけるSiO2膜形成の最適条件を検討した．デバイス評価として，SiO2/Ga2O3 MOSダイオードを作製した．デバイスのC-V測定結果より，ポストアニール温度が800°C以上の時，アノード電圧0 V付近の容量変化がフラットになるリッジが明瞭に観測された．これは，Ga2O3基板における酸素欠損によるトラップであると考えられる． |
| 抄録(英) | Ga2O3 is an attractive new oxide semiconductor for next-generation power devices due to its extremely large bandgap of 4.5 eV. A high quality SiO2 film is essential for fabrication of field plate and/or passivation layer to improve the breakdown voltage of power devices. In this work, the effects of post-deposition anneal on the properties of SiO2 deposited on Ga2O3 and the SiO2/Ga2O3 interface were investigated to evaluate the optimal process conditions. The C-V characteristics of devices annealed at over 800°C showed a ledge at around 0 V, which could arise from electron trapping at the SiO2/Ga2O3 interface induced by high temperature annealing. |
| キーワード(和) | 酸化ガリウム / 酸化シリコン / 光支援C-V測定 |
| キーワード(英) | Gallium oxide / Silicon dioxide / Photoassisted C-V measurement |
| 資料番号 | ED2016-29 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2016/7/23(から2日開催) |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of post-deposition anneal on SiO2 layer on Ga2O3 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化シリコン / Silicon dioxide |
| キーワード(3)（和/英） | 光支援C-V測定 / Photoassisted C-V measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小西 敬太 / Keita Konishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上村 崇史 / Takafumi Kamimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | ワン マンホイ / Man Hoi Wong |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公平 / Kohei Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社タムラ製作所(略称：タムラ製作所) Tamura Corp.(略称：Tamura Corp.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 倉又 朗人 / Akito Kuramata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社タムラ製作所(略称：タムラ製作所) Tamura Corp.(略称：Tamura Corp.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社タムラ製作所(略称：タムラ製作所) Tamura Corp.(略称：Tamura Corp.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 発表年月日 | 2016-07-23 |
| 資料番号 | ED2016-29 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-158 |
| ページ範囲 | pp.11-15(ED), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |