| 講演名 | 2016-05-19 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 岸 直希(名工大), 岩間 一樹(名工大), 水谷 拓哉(名工大), 加藤 慎也(名工大), 曽我 哲夫(名工大), |
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| 抄録(和) | グラフェンの熱化学気相成長法による合成では、その層数や質は基板に用いる金属の種類に依存することが知られている。これまでにCuやNiを基板に用いるのが主流であり多数報告されている。一方で合金を基板に用いたグラフェン合成に関しては詳細が知られていない。本研究では、CuとNiの合金であるキュプロニッケルを基板として用いたグラフェン合成について検討を行いその詳細を調べた。 |
| 抄録(英) | The number of layers and quality of graphenes synthesized by chemical vapor deposition (CVD) depends on the type of metal substrates. Typical CVDs of graphenes uses Cu and Ni as the metal substrates. However the details of graphene synthesis on metal alloy has not been clarified. Here, we report that the graphene synthesis on cupronickel, which is a metal alloy of Cu and Ni. |
| キーワード(和) | グラフェン / 熱化学気相成長法 / 合金基板 |
| キーワード(英) | Graphenes / Thermal chemical vapor deposition / Metal alloy substrates |
| 資料番号 | ED2016-14,CPM2016-2,SDM2016-19 |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / SDM |
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| 開催期間 | 2016/5/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) |
| 開催地（英） | Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 前澤 宏一(富山大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Synthesis of graphenes on metal alloy substrates by thermal chemical vapor deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphenes |
| キーワード(2)（和/英） | 熱化学気相成長法 / Thermal chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 合金基板 / Metal alloy substrates |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岸 直希 / Naoki Kishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩間 一樹 / Kazuki Iwama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水谷 拓哉 / Takuya Mizutani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加藤 慎也 / Shinya Kato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 曽我 哲夫 / Tetsuo Soga |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 発表年月日 | 2016-05-19 |
| 資料番号 | ED2016-14,CPM2016-2,SDM2016-19 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ED-48,CPM-49,SDM-50 |
| ページ範囲 | pp.5-8(ED), pp.5-8(CPM), pp.5-8(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |